细胞电生理培养设备

体外创伤性脑损伤模拟系统

创伤性脑损伤 (TBI) 是 21 世纪初的一项重大公共卫生问题，被称为“无声的流行病"，因为它被低估，经常未被诊断，其长期后果通常被低估。

然而，由于军1事人员在与战斗相关的 TBI 方面的经验越来越多，体外细胞电生理模拟系统，媒体关注职业运动员与 TBI 相关的长期残疾、教育计划，例如疾病控制和预防中心的“Heads Up"计划，以及患者和受影响家属的声音，沉默开始被打破。

体外创伤性脑损伤模拟系统的出现开始打破这种局面。

在所有报告的 TBI 中，细胞电生理实验设备，大约 75%可归类为轻度 TBI (mTBI)。

尽管大多数 mTBI 患者在数天至数周内变得无症状，但有些患者会出现持续的令人不安的症状，被称为“持续性脑1震荡后综合征"。

应用神经影像学来预测 mTBI 临床结果的固有挑战之一是，出现持续症状的患者通常在常规神经影像学上没有可检测到的异常，例如大脑的计算机断层扫描 (CT) 和磁共振成像 (MRI)。

体外创伤性脑损伤模拟系统可以帮助科学家们*好的模拟检验脑神经的培养，在各种损伤情况下的生理表现，以及神经细胞电信号的变化情况。

体外海马切片损伤模拟设备

创伤性脑损伤（TBI）是蕞常见的头部创伤形式之一，它仍然是导致死1亡和残疾的主要原因。

众所1周知，细胞电生理刺激培养系统，蕞初的机械性轴索损伤会引发一系列复杂的神经炎1症和代谢事件，对这些事件的理解对临床、转化和药理学研究至关重要。这些事件甚至在轻度创伤性休1克中也会发生，并与一些脑1震荡后的表现有关，包括对*二次损伤的暂时性高度脆弱。

蕞近的研究对 '缺血是创伤后组织损伤的蕞终方式 '这一原则提出了挑战，因为在正常灌注的情况下和颅内高压之前，就会出现代谢功能紊乱。

为了阐明在TBI中发生的细胞和分子变化，作为神经元损伤的直接结果，在没有缺血损伤的情况下，我们使用体外海马切片损伤模拟设备体外模型对不同严重程度的创伤进行了表达基因和分子交互途径的微阵列分析。将相当于人类弥漫性轴突损伤的拉伸损伤传递给大鼠器1官型海马切片培养物，在24小时内将10%（轻度）和50%（重度）拉伸后的mRNA水平与对照组比较。

通过分析体外海马切片损伤模拟设备数据显示，即使在没有细胞损伤的情况下，MTBI后的基因表达也有明显的差异。路径分析显示，两种程度的损伤中的分子相互作用是相似的，其中IL-1beta起着核1心作用。在50%的拉伸中发现了涉及RhoA（ras同源基因家族，细胞电生理，成员A）的神经变性的额外途径。

体外神经活动记录刺激系统

体外神经活动记录刺激系统允许实现对细胞机械拉伸的同时进行电刺激、电生理信号的测量。

体外神经活动记录刺激系统使用了神经组织接口的高分辨率弹性可拉伸微电极阵列(SMEA)。SMEA 由弹性基材（例如聚二甲1基硅氧烷 (PDMS)）、可弹性拉伸的金导体和电绝缘封装层组成，其中开有接触孔。

具有多个微电极的 SMEA的体外神经活动记录刺激系统允许每单位面积有更多的微电极，从而提供与每个电极*小的神经群体接口的能力。这种新的 SMEA 用于记录器1官型海马组织切片中的自发和诱发活动，记录的频率随着拉伸率的增加而增加。当SMEA被拉伸时，自发神经活动的频率也会增加。放松后，噪音恢复到拉伸前的水平，而神经活动的频率保持升高。测量每个应变水平下的刺激反应曲线。SMEA可以至少在两周内表现出良好的生物相容性。

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