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| 供货周期 | 一周 | 应用领域 | 化工 |
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石墨烯场效应晶体管芯片S20，GFET S-20
中文名称：石墨烯场效应晶体管芯片S20（GFET S-20）
英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chipS20
cas号：7440-44-0
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：675μm
每个芯片的GFET数量：12
栅氧化层厚度：90nm
栅极氧化物材料：SiO2
基体电阻率：1-10Ω.cm
封装形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4
Dirac点（背栅）：＜50 V
良率 ：＞75%
石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V.s
应用：石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。
保存条件：常温干燥避光，密封保存
石墨烯场效应晶体管芯片S20，GFET S-20
GFET S-20 芯片专为液体介质中的测量而设计。提供 12 个石墨烯器件，封装在金属焊盘上以避免退化并减少泄漏电流，探针焊盘位于芯片外围附近。它还在芯片中心包括一个非封装电极，无需外部栅极即可进行液体门控。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.6.
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