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| 供货周期 | 一周 | 应用领域 | 化工 |
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石墨烯场效应晶体管芯片S31，GFET-S31
中文名称：石墨烯场效应晶体管芯片S31（GFET-S31）
英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S31
cas号：7440-44-0
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：525μm
每个芯片的GFET数量：30
栅氧化层厚度（EOT）：20nm
栅极氧化物材料：Al2O3
Dirac点：＜5 V
良率 ：＞75%
石墨烯场效应迁移率：＞600cm2/V.S
应用：石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。
保存条件：常温干燥避光，密封保存
石墨烯场效应晶体管芯片S31，GFET-S31
GFET-S31以网格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探头几何形状，利用高K金属栅极 （HKMG）工艺流程提供EOT = 20nm的顶栅极。允许单独控制芯片内每个石墨烯通道的电导。有3种石墨烯通道尺寸，可以研究尺寸对器件属性的依赖性，从而实现即时优化。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.6.
以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。
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