PS納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格濾片150nm

靜電紡絲技術(shù)是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術(shù)的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場(chǎng)中流動(dòng)并發(fā)生形變,然后經(jīng)溶劑蒸發(fā)或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質(zhì)，這一過程簡(jiǎn)稱電紡。

PS納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格濾片150nm

（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

PCL納米纖維網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PCL納米纖維網(wǎng)格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm（網(wǎng)格空隙：200um）

PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm（網(wǎng)格空隙：400um）

PCL納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維網(wǎng)格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm（網(wǎng)格空隙：200um）

PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm（網(wǎng)格空隙：400um）

PLA納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

絲素蛋白（SF）電紡纖維

彈性蛋白電紡纖維膜

纖維蛋白原纖維膜

小麥蛋白纖維膜

玉米蛋白電紡纖維膜

玉米蛋白/聚乳酸復(fù)合納米纖維長(zhǎng)絲

聚己內(nèi)酯/明膠(PCL/GE)電紡納米纖維支架

溫馨提示：以上產(chǎn)品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）