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上海攸亦光電科技有限公司
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Si雪崩單元探測器

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時間:2024-10-12 15:38:22瀏覽次數(shù):1067次

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應用領(lǐng)域 綜合
Si雪崩單元探測器:Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的 影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探 測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。

Si雪崩單元探測器 

產(chǎn)品簡介

Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的 影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探 測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。

產(chǎn)品特點

l噪聲低

l高增益

l內(nèi)置高壓電源

lAPD溫度補償

l結(jié)構(gòu)緊湊

l內(nèi)置低噪隔離電源

應用領(lǐng)域

l光纖傳感

l光纖通信

l激光測距

l光譜測量

lns 級光脈沖探測

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

單位

探測器類型

Si

 

波長

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

響應度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

 

飽和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

O.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC

 

供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學輸入

FC/APC(自由空間光可選)

 

射頻輸出

SMA

 

外形尺寸

65*50*20

mm

 

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