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高低溫真空探針臺(tái)有哪幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)呢

閱讀：1202 發(fā)布時(shí)間：2023-2-28

高低溫真空探針臺(tái)可以對(duì)材料或器件進(jìn)行電學(xué)特性測(cè)量、光電特性測(cè)量、參數(shù)測(cè)量、高阻測(cè)量、DC測(cè)量、RF測(cè)量和微波特性測(cè)量，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。

高低溫真空探針臺(tái)，是一款為晶片、器件和材料（薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等）提供真空和高低溫測(cè)試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測(cè)量平臺(tái)。

高低溫真空探針臺(tái)在不同測(cè)試環(huán)境、不同溫度條件下可對(duì)微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件、微電子器件及材料進(jìn)行電學(xué)特性表征測(cè)試。

可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2K~500K），可升級(jí)加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作，溫度均勻性更好，溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過(guò)的硅二極管作為測(cè)溫裝置，支持光纖光譜特性測(cè)試，兼容高倍率金相顯微鏡，可微調(diào)移動(dòng)，器件的高頻特性(支持高67GHz頻率)，探針熱沉設(shè)計(jì)，LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試，自動(dòng)流量控制，材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。

產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：

防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì)

降溫速度快，常溫降至 77k<25mins，提高測(cè)試效率

液氮自動(dòng)控制系統(tǒng)，液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共同控制溫度

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