日韩亚洲情Av无码,日韩亚洲AV无码精品影院,日韩人妻系列无码专区久久,亚洲无码日韩高清中文字幕

    納米粒子浸入連續(xù)相深度h后橫截面（見(jiàn)圖1），體系自由能變化的始終態(tài)為：C
HV4fV}2m
    相應(yīng)h深粒子SG表面（GSG）+粒子在LG的投影面（GLG）→浸沒(méi)h深粒子SL界面（GSL）
    

圖1、納米粒子浸入連續(xù)相深度h后橫截面示意圖
    （2）、 棒形分散相1-3型納米復(fù)合材料分散所需克服的能壘
   （3）、片形分散相2-3型納米復(fù)合材料分散所需克服的能壘+AG-{sn$lAK
    （4）、分散所需克服的能壘與納米分散相形狀的關(guān)系

圖2、不同形狀納米分散相粒子分散所需克服的能壘隨接觸角的變化
t
    從圖2可以看出，納米粒子分散所需克服的能壘在接觸角為0（界面相容）時(shí)趨于0；隨接觸角增大而迅速增大，當(dāng)接觸角接近π（界面不相容）時(shí)達(dá)到大值。當(dāng)長(zhǎng)徑比（徑厚比）等于1時(shí)，納米棒形粒子與納米圓盤形粒子相同，并趨近于納米球形粒子。納米圓盤型粒子，在接觸角0-π范圍內(nèi)分散所需克服的能壘小。在界面基本相容區(qū)間（接觸角0-π/2范圍），棒形粒子分散所需克服的能壘略微大于球形粒子，而在界面基本不相容區(qū)間（接觸角π/2-π范圍），球形粒子分散所需克服的能壘大于棒形粒子。在分散相體積分?jǐn)?shù)相同、等尺寸分散相前提下，在理論上定量描述了分散所需克服的能壘隨分散相粒子尺寸減小、分散相體積分?jǐn)?shù)增大，而增大的一般趨勢(shì)；進(jìn)一步揭示出隨接觸角減小，分散所需克服的能壘減小。在其它因素相同情況下，球形粒子分散所需克服的能壘高；薄圓盤形粒子分散所需克服的能壘低；細(xì)棒形粒子居中。!hO3Np@~*R
2、峰回路轉(zhuǎn)
   將蒙脫土分散在水中后，由于層間陽(yáng)離子的水合作用，以及層外自由水分子向?qū)娱g的滲透膨脹作用，使蒙脫土001 面間距（d001）增大，同時(shí)建立起由帶負(fù)電荷的蒙脫土片表面，與其附近擴(kuò)散分布的陽(yáng)離子形成的雙電層。雙電層之間的靜電斥力克服蒙脫土片層間的范德華引力，造成相鄰蒙脫土片層互相*近所需跨越的能壘，使納米量級(jí)厚度的蒙脫土片均勻分散在水中，形成穩(wěn)定的溶膠分散體系，并使之不易絮凝和聚結(jié)，從而提高其分散和聚沉穩(wěn)定性。根據(jù)膠體分散穩(wěn)定性（DLVO）理論，定量計(jì)算出蒙脫土溶膠分散體系穩(wěn)定性見(jiàn)圖3。

www.nanost.net4Q#F
3、柳暗花明"p6es'?3W?G bCg
    聚合物對(duì)蒙脫土的插層及其層間膨脹過(guò)程是否能進(jìn)行，取決于該過(guò)程中自由能的變化（ΔG 是否小于0） ，若ΔG < 0 ，則此過(guò)程能自發(fā)進(jìn)行。對(duì)于等溫過(guò)程:
    ΔG =ΔH - T ΔS                   （1）[m3B C%d*b
    要使ΔG < 0 ，則需:
    ΔH < T ΔS                         （2）9z#e"s/a/e7{\\&[
O）g*q7yX,`w2E!m\\
    滿足式（2）的條件有如下兩類過(guò)程和三種方式:
    （A）放熱過(guò)程 ΔH < 0 ，且ΔS > 0}*b,kb~$S T2Y-U
        ΔH < T ΔS < 01Ec U1nUs jH
    （B）吸熱過(guò)程 0 <ΔH < T ΔSwww.nanost.net,H h#J{*B（cA"L3@
&HnM&mS"x0scDn
    焓變ΔH 主要由單體或聚合物分子與粘土片層之間相互作用程度所決定，而熵變ΔS 則和單體分子以及聚合物分子的約束狀態(tài)有關(guān)。只有綜合分析PLS 納米復(fù)合材料制備過(guò)程中的焓變、熵變以及外界條件的影響，才能對(duì)特定的材料種類，選擇*的制備方法和有利的實(shí)施途徑。

    單體插層原位聚合過(guò)程可分為兩個(gè)步驟:單體插層和原位聚合。對(duì)于單體插層步驟來(lái)說(shuō)，單體分子從自由狀態(tài)變?yōu)閷娱g受約束狀態(tài)，熵變ΔS1<0 ，所以焓變ΔH1是決定單體分子插層步驟的關(guān)鍵，若ΔH1<TΔS1<0 成立，則單體分子插層可自發(fā)進(jìn)行。而對(duì)于原位聚合反應(yīng)來(lái)說(shuō)，因ΔS2<0 ，所以ΔH2<0 ，并滿足ΔH2< TΔS2<0 ，在等溫等壓下，該聚合反應(yīng)釋放出的自由能以有用功的形式，抵抗蒙脫土片層間的吸引力而作功，使層間距大幅度增加而形成剝離型PLS 納米復(fù)合材料。溫度升高既不利于單體插層又不利于聚合反應(yīng)。我們?cè)O(shè)計(jì)了己內(nèi)酰胺單體對(duì)經(jīng)質(zhì)子化己內(nèi)酰胺交換過(guò)的蒙脫土插層，然后熔融縮聚，成功地制備出剝離型尼龍6/蒙脫土納米復(fù)合材料及聚酯/蒙脫土納米復(fù)合材料。

4、驀然回首納米科技世界論壇, Nanoscience and Nanotechnology WorldH8^6d? hL（b
    選定具有光致變色功能、整個(gè)分子共軛的陽(yáng)離子紅（Astrazon Red GTL）染料作為插層劑，成功制備了一系列插層納米復(fù)合物。從有機(jī)陽(yáng)離子與蒙脫石離子交換吸附原理出發(fā)，推導(dǎo)出吸附等溫式和表面二維狀態(tài)方程理論關(guān)系，給出了熱失重法確定吸附量的數(shù)據(jù)處理方法。GTL陽(yáng)離子交換吸附實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合我們的吸附等溫式，插層復(fù)合物界面壓強(qiáng)π隨其含水量增大而線性減小。在較低π 下，GTL在層間以平行于蒙脫石片層表面的單分子層形態(tài)排列；隨著π增大, 層間GTL以一定角度傾斜于蒙脫石片層表面的頭尾交指型團(tuán)聚體形態(tài)排列；在更大的π下，層間GTL則以垂直于蒙脫石片層表面成雙分子層排列，其尾端重疊自組裝形成超分子共軛納米結(jié)構(gòu)（見(jiàn)圖4），層間GTL熱穩(wěn)定性大幅度提高。

圖4、 蒙脫土/GTL插層復(fù)合物界面壓強(qiáng)對(duì)層間距影響www.nanost.net7kTFl5GL#us
納米科技世界論壇, Nanoscience and Nanotechnology World;Zo-Owjo%c[
    5、唾手而得i（sQ D6D3gF
    （1）、熔融共混插層復(fù)合材料的熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)力!GwGnt
    熱力學(xué)只關(guān)注與過(guò)程無(wú)關(guān)的起點(diǎn)和終點(diǎn)狀態(tài)：起點(diǎn)是片狀堆積的蒙脫土以及聚合物熔體中纏結(jié)在一起的無(wú)規(guī)線團(tuán)高分子鏈；終點(diǎn)是少部分解纏結(jié)高分子鏈?zhǔn)芟拊诿擅撏疗瑢娱g（層間距同時(shí)增大），大部分仍然保持纏結(jié)在一起的無(wú)規(guī)線團(tuán)高分子鏈。那么纏結(jié)在一起的無(wú)規(guī)線團(tuán)高分子鏈因何動(dòng)力鉆到狹縫中去，一定是片層表面與高分子鏈間存在吸附作用（放熱），即所謂焓驅(qū)動(dòng)。你非要說(shuō)，這之后高分子鏈不堪忍受狹縫中生存，要在狹縫中撐開(kāi)片層回復(fù)到無(wú)規(guī)線團(tuán)高分子鏈。那它首先要解吸附，補(bǔ)償進(jìn)去時(shí)的焓變（記住熱是耗散的）。而且我會(huì)問(wèn)，它起點(diǎn)就是無(wú)規(guī)線團(tuán)高分子鏈，它可以不進(jìn)去，所以說(shuō)熵驅(qū)動(dòng)是沒(méi)有道理的。
    （2）、動(dòng)力學(xué)機(jī)理   

    熱力學(xué)只關(guān)注起點(diǎn)和終點(diǎn)的狀態(tài)，不管中間過(guò)程，更不涉及機(jī)理的任何細(xì)節(jié)。我可以發(fā)揮想象力，猜測(cè)一下具體機(jī)理細(xì)節(jié)：在剪切應(yīng)力作用下，高分子鏈無(wú)規(guī)線團(tuán)沿應(yīng)力方向取向，無(wú)規(guī)線團(tuán)被拉伸變扁，同時(shí)蒙脫土片也沿應(yīng)力方向取向。一旦高分子鏈遇到片層間狹縫，在狹縫壁吸附拉力和高分子鏈擴(kuò)散以及應(yīng)力場(chǎng)的推力下，就象趕蛇入管（洞）一樣，高分子鏈逐個(gè)鏈段（蛇是逐節(jié)）蠕動(dòng)進(jìn)狹縫（同時(shí)狹縫被撐大），終吸附固定在狹縫壁上而逐漸伸直，片層就象夾板一樣固定住在狹縫中努力蠕動(dòng)掙扎試圖逃脫的高分子鏈，兩者達(dá)到平衡后，測(cè)一下狹縫大小得到層間距。這樣就抓住一條蛇，當(dāng)然可能有好幾條蛇進(jìn)入一條狹縫。從中可以看出剪切應(yīng)力在其中所起的推動(dòng)作用，但焓驅(qū)動(dòng)才是決定性因素。作一個(gè)計(jì)算機(jī)模擬（MD、MC），可知所言不虛。
   （3）、實(shí)驗(yàn)事實(shí)印證納米科技世界論壇, Nanoscience and Nanotechnology World Hy7Y2@O.EQ1lI
    現(xiàn)將目前為止積累的實(shí)驗(yàn)事實(shí)簡(jiǎn)明歸納如下，即可一目了然，畢竟事實(shí)勝于雄辯。下述體系中涉及的有機(jī)蒙脫土，都是十八烷基季銨鹽插層的市售有機(jī)土。