细胞损伤仪（Cell Injury Controller II）采取电子式控制，适合脑源性细胞培养样品，或其它离体培养细胞的牵张性（strain-induced trauma）损伤模型制作。损伤后可进行神经生化、形态学、生理学，药物干预等方面的研究。

细胞损伤控制仪设计的组织培养系统。细胞损伤控制仪把压缩气体送到每个培养室，以造成培养组织牵张性的损伤，损伤的严重程度是通过控制进出密闭培养室的气体量来实现。培养室的峰值压力同时被记录下来，这个数值可以用来精确地表明引起牵张性细胞损伤的气压值。

细胞损伤控制仪（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (针对VCU早期的细胞损伤控制仪)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

根据所采用的细胞种类、损伤的程度、培养的状况，受损后的细胞或许会因为上述因素死亡或修复，所以VCU的细胞损伤控制仪(CIC II)很适合应用在下列损伤反应研究：细胞受损、修护，死亡，药物介入。

主要技术参数：

采用电子式控制，适合脑源性细胞培养样品的制作

适合细胞受损、修护，死亡，药物介入等方面研究

使用Flexcell Int’l corp组织培养系统

带独立的细胞培养室，通过控制输入的气体量实现细胞损伤

膜伸展程度：120%-155%

膜变形范围：5.5mm-7.5mm

伤等效峰值压力范围：8.2-11.5PSI

培养室的峰值压力可被实时被记录下来

可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

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