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如何選擇透射電鏡的常用耗材?

閱讀:916        發(fā)布時間:2022/10/19
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  氮化硅薄膜窗口是透射電鏡常用的耗材,在樣品桿上進行實驗。根據(jù)實驗需求的不同,科研人員采用不同的樣品桿和氮化硅薄膜窗口進行相關(guān)實驗。有些實驗,對樣品桿有加熱的功能需求,因此出現(xiàn)了加熱樣品桿和加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)。
  加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術(shù),在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設(shè)計,減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性,從而能夠在一個穩(wěn)定的平臺上同時進行試樣的加熱和電化學表征。
  電學表征:透射電鏡的電學測試面臨的最大挑戰(zhàn)是:表征納米尺度樣品的電學性能時,所需要的電流非常小,通常小于1nA,并且必須被準確的加載和測量以確保結(jié)果的準確性。選擇合適的加熱桿才能獲得可靠的實驗數(shù)據(jù)。根據(jù)加熱桿,定制加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)或者加熱桿廠家直接提供都是可以的。
  原位芯片提供的定制熱學/加熱芯片是依靠氮化硅膜超高的穩(wěn)定性和低熱容量的特點實現(xiàn)穩(wěn)定的原位熱學觀測。芯片使用鉑為加熱電極層與信號反饋層,可耐受1200℃高溫。定制加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)可高分辨地對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學組分、元素價態(tài)進行綜合表征。適合:真空條件下的熱反應過程(如材料相變)以及電學下的氧化還原反應等。

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