您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 規(guī)格 | 12V65AH |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池,道路/軌道/船舶 | 主要用途 | UPS電源 |
應(yīng)用范圍；UPS不間斷電源；EPS不間斷電源，消防備用電源； 安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)，應(yīng)急照明系統(tǒng)；電力，郵電通信系統(tǒng)；電子儀器儀表；高低壓配電柜。
產(chǎn)品分類品牌分類
-
雄獅MASTERLION蓄電池 銀泰蓄電池 YUTAI宇泰蓄電池 SECURE蓄電池 艾博特ABOBOT蓄電池 VAT威艾特蓄電池 PCM蓄電池 GSYUASA蓄電池 新太蓄電池 柏克BAYKEE蓄電池 樂珀?duì)朙OTPOWER蓄電池 勁博JUMPOO蓄電池 環(huán)宇HUANYU蓄電池 浙江臥龍燈塔蓄電池 商宇蓄電池 廣州藍(lán)肯蓄電池 浙江冠通蓄電池 默克Mercke蓄電池 天津力源蓄電池 KOKO可可蓄電池 長(zhǎng)光CGB蓄電池 友聯(lián)UNION蓄電池 獅克LEGACY蓄電池 雄霸SUPER蓄電池 奧亞特AOYATE蓄電池 Matrix矩陣蓄電池 首達(dá)SOTA蓄電池 威神VISION蓄電池 HE蓄電池 大華DAHUA蓄電池 光盛CONSENT蓄電池 臺(tái)達(dá)中達(dá)電通蓄電池 一電FirstPower蓄電池 雙登閥控密封蓄電池 圣陽(yáng)SACRED SUN蓄電池 圣能SUPEV蓄電池 LIBERTY大力神蓄電池 復(fù)華POWERSON蓄電池 SANTAK山特蓄電池 三瑞蓄電池 賽力特蓄電池 昕能蓄電池 美洲豹LEOPARD蓄電池 美陽(yáng)M.SUN蓄電池 南都蓄電池 CSB蓄電池 梅蘭日蘭蓄電池 洛奇LUOKI蓄電池 海志蓄電池 奧特多蓄電池 科士達(dá)蓄電池 精衛(wèi)蓄電池 科華蓄電池 鴻貝蓄電池 哈爾濱光宇蓄電池 廣州OTP蓄電池 廣隆LONG蓄電池 易事特蓄電池 賽能蓄電池 風(fēng)帆蓄電池 豐江蓄電池 非凡蓄電池 濱松蓄電池 八馬PALMA蓄電池 TOYO東洋蓄電池 SSB蓄電池 上海PMB湯淺蓄電池 MCA中商國(guó)通蓄電池 MAX蓄電池 GMP蓄電池 *蓄電池 鳳凰蓄電池 賽特蓄電池 理士蓄電池 湯淺蓄電池 松下蓄電池
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
光宇蓄電池6-GFM-65 12V65AH監(jiān)控機(jī)房
光宇蓄電池應(yīng)用領(lǐng)域與分類：
◆ 免維護(hù)無須補(bǔ)液； ● UPS不間斷電源；
◆ 內(nèi)阻小，大電流放電性能好； ● 消防備用電源；
◆ 適應(yīng)溫度廣； ●安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)；
◆ 自放電??； ● 應(yīng)急照明系統(tǒng)；
◆ 使用壽命長(zhǎng)； ● 電力，郵電通信系統(tǒng)；
◆ 荷電出廠，使用方便； ● 電子儀器儀表；
◆ 安全防爆； ● 電動(dòng)工具,電動(dòng)玩具；
◆ *配方，深放電恢復(fù)性能好； ● 便攜式電子設(shè)備；
◆ 無游離電解液，側(cè)倒仍能使用； ● 攝影器材；
◆ 產(chǎn)品通過CE,ROHS認(rèn)證,所有電池 ● 太陽(yáng)能、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)；
符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。 ● 巡邏自行車、紅綠警示燈等。
IGBT與MOSFET是一樣的,可以通過控制柵極與發(fā)射極之間的驅(qū)動(dòng)電壓來實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通和阻斷。IGBT的正向阻斷原理與MOSFET相似。當(dāng)柵極電壓UGE低于門檻電壓UT時(shí),在IGBT的柵極下方的P體區(qū)內(nèi),沒有形成N型導(dǎo)電溝道,器件處于阻斷狀態(tài)。集電極-發(fā)射極之間的正向電壓使PN結(jié)J2反向偏置,集電極-發(fā)射極之間的電壓幾乎全部由PN結(jié)J2承受,這時(shí)只有非常小的漏電流通過漂移區(qū)由集電極流向發(fā)射極。
2.2 IGBT的導(dǎo)通原理
當(dāng)加在IGBT上的柵極電壓高于門檻電壓UT時(shí),同MOSFET一樣,在IGBT的柵極下方的P體區(qū)將形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,將N-漂移區(qū)與IGBT的發(fā)射極下方的N+區(qū)連起來,如圖5所示。大量的電子通過導(dǎo)電溝道從發(fā)射極注入N-漂移區(qū),成為內(nèi)部PNP型晶體管的基極電流,由于J1結(jié)正偏,導(dǎo)致大量的空穴由注入?yún)^(qū)P+區(qū)注入N-漂移區(qū)。注入N-漂移區(qū)的空穴通過漂移和擴(kuò)散兩種方式流過漂移區(qū),后到達(dá)P體區(qū)。當(dāng)空穴進(jìn)入P體區(qū)以后,吸引了大量來自發(fā)射極接觸的金屬的電子,這些電子注入P體區(qū),并迅速地與空穴復(fù)合,形成器件的導(dǎo)通電流,IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)。
為IGBT內(nèi)部等效MOSFET和雙極型晶體管GTR的結(jié)構(gòu)。在IGBT導(dǎo)通時(shí),其電流通過內(nèi)部等效MOSFET和GTR導(dǎo)通。圖6所示為IGBT的等效電路,IGBT為一個(gè)MOSFET與一個(gè)雙極型晶體管達(dá)林頓連接而成。IGBT導(dǎo)通壓降為
UCE(on)=UJ1+Udrift+ICRchannel (1)
式中,UJ1為PN結(jié)J1的導(dǎo)通壓降;Udrift為漂移區(qū)體電阻上的壓降;Rchannel為P體區(qū)的等效導(dǎo)通電阻。因?yàn)樵贗GBT中存在電導(dǎo)調(diào)制作用,使得Udrift遠(yuǎn)小于相同工況下功率MOSFET的導(dǎo)通壓降,這樣整個(gè)IGBT的導(dǎo)通壓降將會(huì)比MOSFET導(dǎo)通壓降要小。
2.3 IGBT的擎住效應(yīng)
在IGBT中,內(nèi)部的PNP型雙極型晶體管和寄生NPN型雙極型晶體管構(gòu)成了一個(gè)晶閘管,如圖7所示,存在晶閘管導(dǎo)通時(shí)的擎住效應(yīng)。IGBT的擎住效應(yīng)可以分為靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。
靜態(tài)擎住效應(yīng)發(fā)生于導(dǎo)通狀態(tài)的IGBT中。在IGBT內(nèi)部存在兩個(gè)晶體管,分別為PNP型晶體管和NPN型晶體管,在NPN型晶體管的基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個(gè)等效體區(qū)電阻Rbr。當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí),電流流過該體區(qū)電阻Rbr,并產(chǎn)生一定的壓降,對(duì)于NPN型晶體管的基極來說,相當(dāng)于加了一個(gè)正向偏置電壓。在規(guī)定的集電極電流范圍內(nèi),這個(gè)正向偏置電壓不夠大,因此NPN型晶體管不會(huì)導(dǎo)通。但是,當(dāng)集電極電流增加到一定值時(shí),這個(gè)正向偏置電壓將使NPN型晶體管導(dǎo)通,并且與PNP型晶體管相互激勵(lì),在這兩個(gè)晶體管內(nèi)部形成類似于晶閘管導(dǎo)通時(shí)的電流正反饋現(xiàn)象,使得集電極電流迅速上升,達(dá)到飽和狀態(tài),光宇蓄電池6-GFM-65 12V65AH監(jiān)控機(jī)房如果這時(shí)IGBT的柵極控制信號(hào)撤除,IGBT仍將處于導(dǎo)通狀態(tài),這意味著這時(shí)IGBT的柵極將失去控制作用,這種現(xiàn)象稱為“靜態(tài)擎住效應(yīng)”。