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| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 規(guī)格 | 12V38AH |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池,道路/軌道/船舶 | 主要用途 | UPS電源 |
應(yīng)用范圍；UPS不間斷電源；EPS不間斷電源，消防備用電源； 安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)，應(yīng)急照明系統(tǒng)；電力，郵電通信系統(tǒng)；電子儀器儀表；高低壓配電柜。
產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
光宇蓄電池6-GFM-38 12V38AH整流器
光宇蓄電池應(yīng)用領(lǐng)域與分類(lèi)：
◆ 免維護(hù)無(wú)須補(bǔ)液； ● UPS不間斷電源；
◆ 內(nèi)阻小，大電流放電性能好； ● 消防備用電源；
◆ 適應(yīng)溫度廣； ●安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)；
◆ 自放電小； ● 應(yīng)急照明系統(tǒng)；
◆ 使用壽命長(zhǎng)； ● 電力，郵電通信系統(tǒng)；
◆ 荷電出廠(chǎng)，使用方便； ● 電子儀器儀表；
◆ 安全防爆； ● 電動(dòng)工具,電動(dòng)玩具；
◆ *配方，深放電恢復(fù)性能好； ● 便攜式電子設(shè)備；
◆ 無(wú)游離電解液，側(cè)倒仍能使用； ● 攝影器材；
◆ 產(chǎn)品通過(guò)CE,ROHS認(rèn)證,所有電池 ● 太陽(yáng)能、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)；
符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。 ● 巡邏自行車(chē)、紅綠警示燈等。
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是由功率MOSFET和GTR復(fù)合而成的一種具有電壓控制的雙極型自關(guān)斷器件。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn),具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低、控制電路簡(jiǎn)單、耐壓高、承受電流大等特點(diǎn),在各種電力變換器中獲得極廣泛的應(yīng)用。由于設(shè)計(jì)佳化及近年來(lái)應(yīng)用了大容量存儲(chǔ)器的工藝技術(shù),其特性有了很大的改善,應(yīng)用范圍已超過(guò)了過(guò)去GTR及功率MOSFET。自1986年投入市場(chǎng)后,IGBT迅速擴(kuò)展了應(yīng)用領(lǐng)域,取代了GTR和一部分功率MOSFET的市場(chǎng),成為中、大功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件,不僅應(yīng)用于電力系統(tǒng),而且也廣泛應(yīng)用于一般工業(yè)、交通運(yùn)輸、通信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、新能源系統(tǒng),還應(yīng)用于照明、空調(diào)等家用電器中。目前IGBT的產(chǎn)品已系列化,產(chǎn)品中高耐壓為6500V,電流為1200A,并在繼續(xù)努力提高電壓、電流容量和開(kāi)關(guān)頻率。目前已成為應(yīng)用廣泛的電力電子器件之一。
1 IGBT的基本結(jié)構(gòu)
1.1 IGBT的基本結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極型晶體管本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在結(jié)構(gòu)上與功率MOSFET相似,只是原功率MOSFET的漏極和漏區(qū)之間額外增加了一個(gè)P+型層。圖2所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)剖面圖,N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為“發(fā)射極”(等效于功率MOSFET中的源極)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為“柵極”。N-層為漂移區(qū),N+層為緩沖區(qū)(這個(gè)在IGBT中并非必需)。IGBT的結(jié)構(gòu)中,柵極和源極與功率MOSFET相似,IGBT的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的不同之處在于IGBT在N溝道功率MOSFET的N+層上增加了一個(gè)P+層,形成PN結(jié)J1,并由此引出漏極,在IGBT中稱(chēng)為“集電極”。
在IGBT中,與發(fā)射極連接的P區(qū)、漂移區(qū)N-區(qū)、緩沖區(qū)N+區(qū)、P+區(qū)構(gòu)成了一個(gè)PNP型晶體管,如圖2所示。連接集電極的P+型注入層是IGBT*的功能區(qū),起集電極的作用,向漂移區(qū)N-區(qū)注入空穴,對(duì)漂移區(qū)N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,使IGBT在開(kāi)通狀態(tài)下,漂移區(qū)N-區(qū)保持較高的載流子濃度,以降低器件的通態(tài)電壓。
IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制的。當(dāng)柵極加正向電壓時(shí),柵極下方的P區(qū)中形成電子載流子導(dǎo)電溝道,電子載流子由發(fā)射極的N+區(qū)通過(guò)導(dǎo)電溝道注入N-漂移區(qū),即為IGBT內(nèi)部的PNP型晶體管提供基極電流,從而PNP型晶體管導(dǎo)通,同時(shí)也使IGBT導(dǎo)通。此時(shí),為維持N-漂移區(qū)的電平衡,P+區(qū)向N-漂移區(qū)注入空穴載流子,并保持漂移區(qū)N-區(qū)具有較高的載流子濃度,即對(duì)N-漂移區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減少漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻,使具有長(zhǎng)漂移區(qū)的高耐壓IGBT也具有低的通態(tài)壓降。若柵極上加負(fù)電壓時(shí),MOSFET內(nèi)的溝道消失,PNP型晶體管的基極電流被切斷,IGBT關(guān)斷。
實(shí)際上,在IGBT結(jié)構(gòu)中,除上面分析的內(nèi)部PNP型晶體管外,還存在一個(gè)NPN型晶體管,它由與發(fā)射極連接的N+區(qū)、P體區(qū)、漂移區(qū)N-區(qū)構(gòu)成。為了防止PNP型與NPN型晶體管組合發(fā)生晶閘管效應(yīng),設(shè)計(jì)時(shí)盡可能使該NPN型晶體管不起作用,如圖1中,將NPN型晶體管的發(fā)射極和基極用鋁電極短路。因此,IGBT的基本工作與NPN型晶體管無(wú)關(guān),可以等效為由N溝道MOSFET作為輸入級(jí),PNP型晶體管作為輸出級(jí)的達(dá)林頓管。IGBT相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP型晶體管(見(jiàn)圖3)。光宇蓄電池6-GFM-38 12V38AH整流器IGBT綜合了功率MOSFET的快速開(kāi)關(guān)特性和雙極型晶體管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是以雙極型晶體管為主導(dǎo)體、MOSFET為驅(qū)動(dòng)件的復(fù)合器件。