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| 供货周期 | 现货 | 规格 | 见详解 |
|---|---|---|---|
| 货号 | 见详解 | 应用领域 | 医疗卫生,能源,电子/电池,电气 |
| 主要用途 | 备用电源 |
KE金能量阀控密封式铅酸免维护蓄电池产品特性免维护选用的 AGM 隔板和高灵敏度的安全阀，铅钙锡多元特种合金铸造板栅，贫液式规划，阴极吸收式原理，有效地按捺氢气的析出，削减运用进程中电解液的损耗，电池寿数期间无需补加电解液维护。
产品分类品牌分类
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产品简介
详细介绍
KE蓄电池SS12-65 12V65AH性能参数
KE蓄电池SS12-65 12V65AH性能参数
放电时阳极板中的过氧化铅和阴极板上的海绵状铅与电解液中的硫酸发生反应生成硫酸铅,所以电解液中的硫酸浓度不断降低;充电时变成硫酸铅的阴阳两极活物质把固定在其中的硫酸成分释放到电解液中,分别生成海绵状铅和过氧化铅,电解液中的硫酸浓度不断增大。充电后期和充电结束时,其后的充电电流全部用语电解电解液中的水分,结果在阳极产生氧气,阴极产生*气,气体的逸出造成电池内部水分减少,SUNEOM电池由于充分利用阴极板活物质呈海绵状湿湿润状态,活性高,能快速与氧气发生反应,大限度的防止水分流失。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永性损坏。
(二)?；ご胧?br />
(1)IGBT栅极的?；?br />
IGBT的栅极-发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极-发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
三、使用说明和注意事项
1,关于充电
> 浮充充电时,请用充电电压2.275V/单元格(20℃时的设定值)进行定电压充电或0.002CA以下的电流进行定电流充电,温度在0℃以下或40℃以上时,有必要对充电电压进行修正,以20℃为起点每变化1℃,单元格电压变化-3mV。
> 循环充电时,充电电压以2.40～2.50V/单元格(20℃时的设定值)进行定电压充电,温度在5℃以下或35℃以上进行充电时,以20℃为起点每变化1℃,单元格电压变化-4mV。
> 充电量设为放电量的100～120%,但环境温度在5℃以下时,设为120～130%
> 充电时电池温度请控制在-15℃～+50℃的范围内,但在循环使用时,请控制在5℃～30℃.
(2)集电极与发射极间的过压?；?/span>
(2.1)直流过压产生的原因是由于前一级输入发生异常。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计;另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。
(2.2)浪涌电压的?；?/span>
因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt。如果VCESP超出
IGBT的集电极-发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。