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隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子封裝作為連接芯片與外部電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其可靠性直接決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能與壽命。在5G通信、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)推動(dòng)下,封裝技術(shù)正朝著高密度、微型化和多功能化方向發(fā)展,這對(duì)封裝材料的機(jī)械性能和可靠性提出了更高要求。
本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將重點(diǎn)介紹推拉力測(cè)試在微電子封裝可靠性評(píng)估中的關(guān)鍵作用,并以Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)為例,詳細(xì)闡述其測(cè)試原理、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、儀器特點(diǎn)及操作流程,為封裝材料研發(fā)和質(zhì)量控制提供科學(xué)可靠的測(cè)試解決方案。
一、推拉力測(cè)試原理
推拉力測(cè)試是評(píng)估微電子封裝可靠性的核心方法之一,主要通過(guò)施加精確控制的推力或拉力來(lái)測(cè)量封裝結(jié)構(gòu)中各關(guān)鍵界面的結(jié)合強(qiáng)度。其基本原理基于材料力學(xué)和斷裂力學(xué)理論:
力學(xué)強(qiáng)度測(cè)試原理:通過(guò)測(cè)試機(jī)對(duì)被測(cè)樣品施加垂直于結(jié)合面的推力或平行于結(jié)合面的拉力,記錄力值隨位移變化的曲線,直至界面發(fā)生斷裂或達(dá)到預(yù)設(shè)閾值。
關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量:
最大破壞力(Fmax):界面失效時(shí)的峰值力值
斷裂能量(E):力-位移曲線下的面積
失效模式:界面斷裂、內(nèi)聚斷裂或混合斷裂
典型測(cè)試對(duì)象:
焊球推力測(cè)試(BGA/CSP封裝)
金線拉力測(cè)試(Wire Bonding)
芯片剪切測(cè)試(Die Shear)
膠粘劑剝離測(cè)試
二、相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
微電子封裝推拉力測(cè)試遵循多項(xiàng)國(guó)際和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),確保測(cè)試結(jié)果的可比性和可靠性:
1、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):
JESD22-B117:半導(dǎo)體器件焊球剪切測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
MIL-STD-883 Method 2019:微電子器件芯片剪切測(cè)試
IPC-9708:電子組件機(jī)械性能測(cè)試指南
2、行業(yè)通用規(guī)范
焊球推力測(cè)試:通常要求最小推力≥500gf/ball(取決于焊球尺寸)
金線拉力測(cè)試:一般要求最小拉力≥3gf(1mil金線)
芯片剪切強(qiáng)度:通常要求≥5kgf/mm2(硅芯片)
3、數(shù)據(jù)分析標(biāo)準(zhǔn)
Weibull統(tǒng)計(jì)分析用于可靠性評(píng)估
失效模式分類標(biāo)準(zhǔn)(界面失效/材料失效)
三、測(cè)試設(shè)備和工具
1、Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)
設(shè)備優(yōu)勢(shì):
高精度測(cè)量:采用24Bit超高分辨率數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),確保測(cè)試數(shù)據(jù)的高精度、高重復(fù)性和高再現(xiàn)性。
多功能測(cè)試:支持推力、拉力、剪切力等多種測(cè)試模式,適用于多種封裝形式和測(cè)試需求。
智能化操作:配備搖桿操作和X、Y軸自動(dòng)工作臺(tái),簡(jiǎn)化了測(cè)試流程,提高了測(cè)試效率。
安全設(shè)計(jì):每個(gè)工位均設(shè)有獨(dú)立安全高度和限速,有效防止誤操作對(duì)設(shè)備和樣品的損壞。
模塊化設(shè)計(jì):能夠自動(dòng)識(shí)別并更換不同量程的測(cè)試模組,適應(yīng)不同產(chǎn)品的測(cè)試需求。
2、推刀或鉤針
四、測(cè)試流程
步驟一、樣品準(zhǔn)備
根據(jù)測(cè)試目的選擇適當(dāng)封裝樣品(BGA、QFN、CSP等)
樣品固定:使用專用夾具固定PCB或芯片載體
對(duì)位調(diào)整:通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)精確定位測(cè)試點(diǎn)
步驟二、測(cè)試程序設(shè)置
選擇測(cè)試模式(推力/拉力/剪切)
設(shè)置測(cè)試參數(shù):
測(cè)試速度(通常0.1-1mm/min)
觸發(fā)力(通常5-10mN)
終止條件(力值下降百分比或最大位移)
設(shè)置數(shù)據(jù)采集頻率(建議≥100Hz)
步驟三、測(cè)試執(zhí)行
啟動(dòng)自動(dòng)測(cè)試程序
實(shí)時(shí)監(jiān)控力-位移曲線
測(cè)試完成后自動(dòng)歸位
步驟四、數(shù)據(jù)分析
系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算關(guān)鍵參數(shù)(Fmax,E等)
失效模式分析:
界面斷裂(Adhesive Failure)
內(nèi)聚斷裂(Cohesive Failure)
基材斷裂(Substrate Failure)
生成測(cè)試報(bào)告(包含原始數(shù)據(jù)和統(tǒng)計(jì)分析)
五、應(yīng)用案例
以某型BGA封裝焊球可靠性評(píng)估為例:
1、測(cè)試條件
焊球直徑:0.3mm
測(cè)試速度:0.5mm/min
樣品數(shù)量:30個(gè)(統(tǒng)計(jì)顯著性)
2、測(cè)試結(jié)果
平均推力值:8.2N
Weibull斜率:3.2
主要失效模式:焊料/焊盤(pán)界面斷裂
3、可靠性分析
對(duì)比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(最小6N/ball)
評(píng)估工藝改進(jìn)需求
以上就是小編介紹的有關(guān)于微電子封裝材料及其可靠性測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助。如果您還對(duì)IGBT功率模塊封裝測(cè)試圖片、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試方法和測(cè)試原理,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題感興趣,歡迎關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言?!究茰?zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。
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