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nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內(nèi)，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm和?3mm，具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。

nanoplus InGaAsSb 光電二極管主要特點

• 波長范圍1000nm-2600nm

• ?1mm，?2mm和?3mm有效面積

• 采用TO5封裝，帶或不帶制冷器

應(yīng)用服務(wù)

• 高靈敏度氣體分析

• 過程控制、環(huán)境監(jiān)測

• 各種分析儀器等

技術(shù)參數(shù)

nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數(shù)特性：