XRD 0822 xO/xP數(shù)字射線(xiàn)平板探測(cè)器
XRD 0822是Varex Imaging 8英寸（20厘米）非晶硅平板探測(cè)器系列的一部分，是一種X射線(xiàn)探測(cè)器，有兩種配置：AO和AP。
XRD 0822 AO提供了超過(guò)78 dB的動(dòng)態(tài)范圍和G每秒30幀（fps）的幀速率。 XRD 0822 AP的增強(qiáng)性能通過(guò)多種讀取模式提供超過(guò)88 dB的動(dòng)態(tài)范圍和高達(dá)100 fps的幀速率。

XRD 0822 xO/xP數(shù)字射線(xiàn)平板探測(cè)器

安防和工業(yè)平板探測(cè)器

我們的平板探測(cè)器設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足工業(yè)和安全行業(yè)中廣泛的成像應(yīng)用。 Varex平板探測(cè)器可防止幾何畸變并使磁場(chǎng)和輻射的影響小化。 檢測(cè)器中發(fā)現(xiàn)的技術(shù)使我們的客戶(hù)能夠充分利用的數(shù)字圖像質(zhì)量，高通量以及CT功能。 這些探測(cè)器在整個(gè)視場(chǎng)中呈現(xiàn)出均勻，不失真的高分辨率圖像，使技術(shù)人員能夠拍攝物體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖像，例如電子電路和機(jī)械零件。

產(chǎn)品展示

2530HE

Varex Imaging提供2530HE高能X射線(xiàn)平板探測(cè)器，其在工業(yè)和安全應(yīng)用中具有的圖像質(zhì)量。 Varex Imaging基于非晶硅的探測(cè)器是工業(yè)和安全應(yīng)用中射線(xiàn)照相的基準(zhǔn)。

2530HE平板探測(cè)器的功能和優(yōu)點(diǎn)包括：

• 高劑量應(yīng)用設(shè)計(jì)> 1 MRad

• 寬電壓范圍：20 kV-16 MV

• 內(nèi)部屏蔽高達(dá)225 kV

• 電子設(shè)備位于檢測(cè)器活動(dòng)區(qū)域之外，從而允許積分器為225 kV以上的使用情況提供電子設(shè)備的附加外部屏蔽。

• 千兆以太網(wǎng)鏈接到工作站

下載數(shù)據(jù)表

2530HE技術(shù)規(guī)格

2530HE技術(shù)規(guī)格概述

技術(shù)	面板尺寸	像素矩陣	像素大小µm	能量范圍（kV）	閃爍器類(lèi)型
動(dòng)態(tài)	25 x 30厘米	1792 x 2176 896 x 1088	139	20 kV-16 MV	DRZ +

	面板尺寸	像素矩陣	像素大小µm	能量范圍（kV）	閃爍器類(lèi)型

Dexela 1207NDT2315NDT2923NDT數(shù)字影像探測(cè)器Csi碘化銫閃爍體工業(yè)平板探測(cè)器-產(chǎn)品宣傳資料-實(shí)時(shí)數(shù)字成像板-數(shù)字影像探測(cè)器-工業(yè)CMOS平板探測(cè)器

Dexela 1512NDT數(shù)字影像探測(cè)器DRZ+閃爍體

Dexela  2315NDT價(jià)格

Dexela  2923NDT維修地點(diǎn)2530HE

Dexela  1308DX使用方式，使用參數(shù)設(shè)置，如何校準(zhǔn)

VAREX萬(wàn)睿視總代理數(shù)字射線(xiàn)DR1308DXT工業(yè)平板探測(cè)器產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)-增宜檢測(cè) 工業(yè)CMOS平板探測(cè)器

直線(xiàn)加速器

我們的高能線(xiàn)性加速器（也稱(chēng)為L(zhǎng)inacs）Linatron™在世界各地的大多數(shù)貨物篩選系統(tǒng)中都可以找到。 它們可靠地產(chǎn)生必要的能量，以*穿透*裝載的容器并小心地感應(yīng)不同的材料。

隨著Varex不斷創(chuàng)新和發(fā)展成像技術(shù)，我們的線(xiàn)性加速器產(chǎn)品組合包括隔行掃描雙能技術(shù)，該技術(shù)提供了比以往更大的材料辨別力。 我們還可以選擇逐脈沖地交替X射線(xiàn)能量。

1515DXT-I

1515DXT-I工業(yè)平板探測(cè)器為工業(yè)和安全應(yīng)用提供業(yè)界*的圖像質(zhì)量。 Varex Imaging基于非晶硅的探測(cè)器是工業(yè)，醫(yī)療和牙科應(yīng)用中射線(xiàn)照相的基準(zhǔn)。

1515DXT-I平板探測(cè)器中的非晶硅具有其他技術(shù)*的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，包括：

• 輻射硬度> 1MRad

• 輸入能量范圍Z廣

• 不受基材中單光子事件的影響

• 優(yōu)異的低劑量性能

下載數(shù)據(jù)表

1515DXT-I技術(shù)規(guī)格

1515DXT-I技術(shù)規(guī)格概述

技術(shù)	面板尺寸	像素矩陣	像素大小µm	能量范圍（kV）	閃爍器類(lèi)型
動(dòng)態(tài)	15 x 15厘米	1152 x 1152 576 x 576	127	40-225 kVp	直接存款CsI，DRZ +

XRD 0822 xO/xP數(shù)字射線(xiàn)平板探測(cè)器