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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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硅探測(cè)器是現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)物。在大多數(shù)應(yīng)用中，這種探測(cè)器取代了硅表面勢(shì)壘（SSB）探測(cè)器和擴(kuò)散結(jié)（DJ）探測(cè)器。與SDB和DJ類型相比，Pips檢測(cè)器具有許多優(yōu)點(diǎn)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
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利用光刻技術(shù)來(lái)確定器件的幾何形狀，用平面工藝制作PIPPS探測(cè)器。專有技術(shù)用于精確控制氧化物鈍化，離子注入用于形成低反向漏電流和薄入口窗口所需的精確控制結(jié)。光刻技術(shù)幾乎適合于直徑為140毫米的任何幾何形狀。均勻離子注入接觸的電阻率可以精確控制，產(chǎn)生極薄的入口窗口(<50 nm)的位置敏感探測(cè)器。
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