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本文介绍了一种使用 Agilent 7500cs ICP-MS 测定光伏级硅中存在的超痕量 元素杂质的新型定量方法。硼（挥发性元素）和磷（受 Si 基干扰）对该行 业尤其重要；因此，为了利用 ICP-MS 分析这些元素，应特别注意样品预处 理阶段。在验证样品前处理策略的过程中，所有元素均获得了良好的回收 率。提供了 13 种不同 Si 样品中存在的一系列元素的示例数据，以及检测限 列表?？梢圆舛ü烫逯械椭?ppb 级的 B 和 P，并可以测量 ppt 级所研究的其 他元素。

有关替代能源的研究正在不断加速推进，其中发展的领域之一是太阳能器件的开发。根据“宏伟太阳能计 划”，到 2050 年，美国总电量中的 69% 将来源于太阳 能（《科学美国人》(Scientific American)，2008 年 1 月）。对太阳能器件的需求不断增长，迫切需要高效 能量转换器（主要含硅）。太阳能（或光伏）级硅的杂 质（特别是硼和磷）控制对成品器件的效率至关重要。 过去，利用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES) 对磷 进行分析，为获得更低的检测限 (DL)，需要采用更灵敏 的方法。本研究介绍了样品前处理以及使用 Agilent 7500cs 电感耦合等离子体质谱仪 (ICP-MS) 对硅块（用 于制造太阳能硅器件）中 31 种分析物的分析。