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使用Agilent ICP-MS/MS测定高纯度过氧化氢中的超痕量元素
阅读：388 发布时间：2019-10-17| 提 供 商 | 上海斯迈欧分析仪器有限公司 | 资料大小 | 383.5KB |
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过氧化氢 (H2O2) 是半导体设备制造过程中采用的重要的制程化学品之 一。H2O2 作为强氧化剂，可用于清洗硅片、去除光刻胶，并在印刷电路板 上蚀刻金属铜。当化学品与硅片直接接触时，必须尽可能地将痕量金属污 染控制在低浓度，以保持器件的性能和产量。
半导体设备与材料产业协会 (SEMI) 发布了有关半导体制程化学品（包 括 H2O2）性能指标的标准 (SEMI C30-1110 – Specifications for Hydrogen Peroxide)。SEMI 5 级为高的纯度级别，绝大多数杂质元素的含量不超过 10 ppt。半导体行业用于监测痕量元素污染物的标准方法是四极杆 ICP-MS (ICP-QMS)，但对于更小的器件架构和更高的器件性能的追求致使需要监 测大量更低浓度的污染物元素。因此，当前行业要求分析方法能够在 ppt 或亚 ppt 级别的背景等效浓度 (BEC) 下分析各种痕量元素。
SEMI 标准 C30-1110 包括高纯 H2O2 中允许的硫酸盐和 磷酸盐大浓度的性能指标，其限值为 30 ppb。该限值 相当于元素浓度为 10 ppb 的硫和磷，当前这两种污染 物无法通过 ICP-QMS 进行测量。而近期发展起来的串联四极杆 ICP-MS (ICP-MS/MS) 能够获得更低的硫、磷 检测限，使其可以监测所有的 SEMI 元素。