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Agilent 8800直接測定高純稀土氧化物中的痕量稀土元素

閱讀:434          發布時間:2018-12-22
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稀土元素 (REE) 廣泛應用于高科技領域。鐠 (Pr)、釹 (Nd)、釤 (Sm) 和鏑 (Dy) 用于大功率永磁體。鐿 (Yb)、鉺 (Er) 和鈥 (Ho) 用于激光器。鑭 (La)、釓 (Gd)、 鋱 (Tb)、銪 (Eu) 和 Yb 則是發光及熒光材料的成分,常用于熒光燈、雷達屏幕 以及等離子體顯示器。稀土還用于汽車尾氣吸收催化劑和高科技玻璃。由此顯 而易見,稀土在高科技行業所用的許多材料中都起著非常重要的作用。然而, 高純稀土材料中存在的其他痕量稀土雜質往往會對終產品的功能產生影響,因 此,稀土氧化物原材料中的雜質必須加以嚴格控制。 

 

在各種用于測定痕量稀土的原子光譜技術中,ICP-MS 的應 用為廣泛,因為其稀土譜圖較為簡單 — 尤其是與發射光 譜技術相比時。不過,在低質量數稀土基質中測定痕量較 高質量數的稀土雜質仍然面臨著非常大的挑戰性。這是因 為在所有元素中,稀土氧化物的鍵能在金屬氧化物 (M-O) 中是高的,在 ICP-MS 質譜中,低質量數稀土的氧化物 離子會干擾中等質量及高質量數的稀土雜質的測定。以高 純 Sm2 O3 中的痕量稀土雜質分析為例,147 Sm16 O+ 和 Dy 的同位素 ( 163 Dy+ ) 重疊,而 149 Sm16 O+ 則和 Ho 的同 位素 ( 165 Ho+ ) 重疊。痕量稀土分析物與稀土基質的分離可以 通過利用螯合樹脂以在線或離線方式去除基質來實現,但 是這種技術非常費時而且需要根據被分離的基質元素定制分 析方法。因此亟需一種能對多種高純稀土基質中的痕量稀 土雜質進行直接分析的方法。

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