半导体电子器件冷热冲击试验箱特别适用于半导体电子器件做温度破坏测试，主要测试半导体电子器件材料结构在瞬间下经*温及极低温的连续冲击环境下所能忍受的程度，得以在短时间内检测试样因热胀冷缩所引起的化学变化或物理伤害。本试验箱根据试验需求及测试标准分为三箱式和两箱式，区别在于试验方式和内部结构不同。三箱式分为蓄冷室，蓄热室和试验室，产品在测试时是放置在试验室。两箱式分为高温室和低温室，是通过电机带动提篮运动来实现高低温的切换，产品放在提篮里，是随提篮一起移动的。

质量优势：主要核心配件均采用*的配件如法国泰康或德国比泽尔压缩机，控制器有韩国三元、日本OYO、中国台湾台通三*供客户选择，继电器有日本路宫、和泉、三菱、施耐德，美国杜邦环保冷媒，丹麦(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罚十，能确保冷热冲击试验箱长期正常高效的运行。

半导体器件（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。

半导体电子器件冷热冲击试验箱技术参数表：

冷热冲击试验箱型号：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150C LQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

标称内容积（升）：80；150；250；300

试验方式：气动风门切换2温室或3温室方式

性能

高温室预热温度范围：＋60～＋200℃

升温速率：＋60→＋200℃≤30分钟

低温室预冷温度范围：－75－0℃

降温速率：＋20→－75℃≤30分钟

试验室温度偏差：±2℃

温度范围TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

温度恢复时间※2 5分钟以内

试样搁架承载能力：30kg

试样重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

内部尺寸（mm）：W 500 600 700 1000

H 400 500 600 1000

D 400 500 600 1000

温度上升和温度下降均为各恒温试验箱单独运转时的性能。