水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射500±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射470±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射450±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射430±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射470±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射450±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射430±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性3-巰基丙酸包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射470±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性3-巰基丙酸包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射450±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性3-巰基丙酸包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射430±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性3-巰基丙酸包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)產(chǎn)品,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~620nm任一波長不同克數(shù)的...油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)產(chǎn)品,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~620nm任一波長不同克數(shù)的...油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)產(chǎn)品,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~620nm任一波長不同克數(shù)的...油溶性Cu摻雜ZnCdS 量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射...油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm) 參考價(jià):面議
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)