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高能激光測(cè)試儀激光持續(xù)時(shí)間測(cè)試
該產(chǎn)品采用了積分球技術(shù)、抗激光輻射漫射涂層技術(shù)、高精度激光能量和波形采樣技術(shù)，具有抗激光破壞閾值高、響應(yīng)時(shí)間快、恢復(fù)時(shí)間短和測(cè)試參數(shù)多等特點(diǎn)。適用于高能激光器及其系統(tǒng)的激光輸出參數(shù)快速測(cè)試，可同時(shí)對(duì)多個(gè)激光參量進(jìn)行快速測(cè)試。
激光輸出能量測(cè)試
激光輸出波形測(cè)試
輸出激光功率測(cè)試
激光持續(xù)時(shí)間測(cè)試
激光峰值功率測(cè)試
存儲(chǔ)和結(jié)果查詢(xún)
技術(shù)參數(shù)：
適用激光波長(zhǎng)：1.315μm或3.8μm
激光能量：1～3000kJ
顯 示：LCD
積分球直徑：1000mm
輸入口徑：220mm
響應(yīng)時(shí)間：≤3s
*大激光功率：300kW
不確定度：≤10%
計(jì)算機(jī)接口：485接口
電 源： 功耗：≤20W
外形尺寸(W×H×D)： 積分球探測(cè)器：≤1100mm×1500mm×1050mm
顯示其外形尺寸：≤350mm×160mm×330mm
重量：≤380kg
KPBGS-6341電子薄膜應(yīng)力分布測(cè)試儀
該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測(cè)試而設(shè)計(jì)的。它通過(guò)測(cè)量每道工序前后基片面形的變化（變形）來(lái)測(cè)量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計(jì)算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測(cè)量Si、Ge、CaAs等半導(dǎo)體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)試硅片尺寸：2～4英寸
硅片曲率范圍：|R|> 5米
測(cè)試精度：5%（在R=±8米處考核）
單片測(cè)試時(shí)間：3分鐘/片
輸出結(jié)果類(lèi)型：面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布
圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表格
電 源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
*大功耗：100W
外形尺寸：285mm×680mm×450mm
重 量：≤36kg