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產(chǎn)品簡介
TN-G1100ZC高真空CVD管式爐主要用于電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD）工藝等
詳細介紹
TN-G1100ZC高真空CVD管式爐
該儀器是一個三溫區(qū)真空管式爐主要用于大專院校、科研院所、工礦企業(yè)等試驗和小批量生產(chǎn)之用。主要用于電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD）工藝等。
TN-G1100ZC高真空CVD管式爐
儀器的控制系統(tǒng)采用*產(chǎn)品，具有操作容易，安全可靠，控溫精度高（專家PID控制），保溫效果好，溫度范圍大，爐膛溫度均勻性高，溫區(qū)多，可通氣泵，抽真空等特點。
1 | 產(chǎn)品名稱 | TN-G1100ZC型高真空CVD管式爐 |
2 | 產(chǎn)品型號 | TN-G1100ZC-503 爐膛尺寸：直徑50x300mm |
TN-G1100ZC-603 爐膛尺寸：直徑60x300mm | ||
TN-G1100ZC-803 爐膛尺寸：直徑80x300mm | ||
3 | 爐門結構 | 開啟式 |
4 | 上限溫度 | 1200℃ |
5 | 工作溫度 | ≤1100℃ |
6 | 加熱溫區(qū) | 三溫區(qū) |
7 | 溫區(qū)長度 | 220mm |
8 | 恒溫區(qū)長 | 100mm |
9 | 爐管材質(zhì) | 301S不銹鋼管（可選剛玉管） |
10 | 密封方式 | 不銹鋼真空法蘭 |
11 | 氣密性 | 真空法蘭和石英爐管的氣密性可達4.03x10-3Pa |
12 | 控溫方式 | 智能化30段可編程控制，自動控溫 |
13 | 控溫精度 | ±1℃ |
14 | 加熱速率 | ≤20℃ |
15 | 加熱元件 | 硅碳棒 |
16 | 熱電偶 | K型熱電偶 |
17 | 爐膛材料 | 進口氧化鋁陶瓷纖維 |
18 | 功率 | 2.5Kw |
19 | 電壓 | 220V 50Hz-60Hz |
20 | 系統(tǒng)真空 | 5～10Pa（需要達到其它真空度時，需選配不同的抽真空裝置） |
21 | 售后服務 | 12個月質(zhì)保，終身保修 |
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