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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器
深圳市恒創(chuàng)億科技有限公司 ：
概述
CLR6212SQA是一款內(nèi)置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCM和QR工作模式的電源系統(tǒng)。用于替換反激系統(tǒng)中次級整流肖特基二極管。CLR6212SQA內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統(tǒng)效率并降低同步整流芯片溫度。內(nèi)置MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，當(dāng)芯片檢測到VSW<-300mV時(shí)MOSFET打開，當(dāng)芯片檢測到VSW>-5mV時(shí)MOSFET關(guān)閉。芯片zui大限度地減少了系統(tǒng)元件數(shù)目并采用SOP8封裝，這些使得CLR6212SQA能夠減小系統(tǒng)所占空間。
電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器
特性
◆ 內(nèi)置12mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET
◆ 適用于DCM和QR工作模式
◆ 消除諧振干擾
◆ 連接簡單，外圍器件少
◆ 欠壓保護(hù)（UVLO）
應(yīng)用范圍
◆ 電池充電器和適配器
封裝形式：
CLR6212SQA采用SOP8封裝
電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器
典型應(yīng)用
打標(biāo)說明及管腳分布
管腳描述
zui大額定值(注1)
參數(shù)范圍
VDD腳電壓-0.3 V to 9V
VSW腳電壓-2V to 45V
功耗2.5W
zui低/zui高存儲(chǔ)溫度Tstg -65 ℃to 150 ℃
工作結(jié)溫范圍-40 ℃to 150 ℃
封裝耗散等級
封裝RθJA (℃/W)
SOP8 90
注1: 超出“zui大額定值”可能損毀器件。長時(shí)間運(yùn)行在zui大額定條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。
*工作范圍
符號參數(shù)范圍單位
SW 20~45 V
VDD 7~9 V
Operation Junction Temp -40~125 ℃
電氣特性（注2）
(如果沒有特殊說明,環(huán)境溫度= 25℃)
符號參數(shù)測試條件zui小值典型值zui大值單位
電源電壓(VCC電壓)
VUVLO VDD欠壓保護(hù)閾值電壓3.6 V
VDD VDD電壓VSW=40V，CvDD=0.1uF 7.8 V
IOP VDD工作電流VDD=6V，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA
VDD_START 啟動(dòng)管充電電壓3.85 V
SW端電壓檢測
VTH_ON 檢測VSW腳開啟閾值-300 mV
VTH_OFF 檢測VSW腳關(guān)斷閾值-5 mV
TON_DELAY 開通延遲190 ns
TOFF_DELAY 關(guān)斷延遲10 ns
TB MOS開啟消隱時(shí)間500 ns
TOFF_MIN MOSzui小關(guān)斷時(shí)間2.5 us
功率管
Rdson 功率管導(dǎo)通阻抗VGS=4.5V,IDS=30A 12 17 mΩ
BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V
注2:典型參數(shù)值為25℃下測試得到的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
使用說明
CLR6212SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片，內(nèi)置電壓降極低的N-MOSFET，可以提高系統(tǒng)效率。
●啟動(dòng)
CLR6212SQA具有UVLO功能，當(dāng)VDD電壓高于VDD_START，IC從鎖存模式切換到正常工作模式，當(dāng)VDD電壓低
于VUVLO(ON),IC再次進(jìn)入鎖存模式，此時(shí)MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號被拉低。
●同步工作模式
芯片通過檢測VSW來控制功率MOSFET的開關(guān)實(shí)現(xiàn)同步整流功能。當(dāng)芯片檢測到VSW<-300mV時(shí)，MOSFET打開，
副邊開始續(xù)流，MOSFET的導(dǎo)通壓降會(huì)使得VSW電位線性升高，當(dāng)芯片檢測到VSW>-5mV時(shí)MOSFET的GATE電位在
TOFF_DELAY后變低，MOSFET關(guān)閉。
●消隱時(shí)間
當(dāng)功率MOSFET打開時(shí)，副邊漏感和MOSFET的輸出電容產(chǎn)生振蕩，容易使VSW的電壓大于-5mV，引起MOSFET
的誤關(guān)斷，為了避免該現(xiàn)象，芯片內(nèi)部設(shè)定一個(gè)固定的消隱時(shí)間，在消隱時(shí)間內(nèi)即使VSW大于-5mV，MOSFET也不會(huì)
誤關(guān)斷。
深圳市恒創(chuàng)億科技有限公司 ：
封裝說明：SOP8