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電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A

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  • 型號(hào) CLR6212SQA
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  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 深圳市
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更新時(shí)間:2018-03-23 16:31:26瀏覽次數(shù):2702

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電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器,CLR6212SQA是一款內(nèi)置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCM和QR工作模式的電源系統(tǒng)。用于替換反激系統(tǒng)中次級(jí)整流肖特基二極管。CLR6212SQA內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統(tǒng)效率并降低同步整流芯片溫度。

詳細(xì)介紹

電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

深圳市恒創(chuàng)億科技有限公司  

概述

CLR6212SQA是一款內(nèi)置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCMQR工作模式的電源系統(tǒng)。用于替換反激系統(tǒng)中次級(jí)整流肖特基二極管。CLR6212SQA內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統(tǒng)效率并降低同步整流芯片溫度。內(nèi)置MOSFET工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW<-300mV時(shí)MOSFET打開(kāi),當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW>-5mV時(shí)MOSFET關(guān)閉。芯片zui大限度地減少了系統(tǒng)元件數(shù)目并采用SOP8封裝,這些使得CLR6212SQA能夠減小系統(tǒng)所占空間。

電源CLR6212SQA內(nèi)置MOS同步整流IC-5V2.4A控制器

特性

內(nèi)置12mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET

適用于DCMQR工作模式

消除諧振干擾

連接簡(jiǎn)單,外圍器件少

欠壓保護(hù)(UVLO

應(yīng)用范圍

電池充電器和適配器

封裝形式:

CLR6212SQA采用SOP8封裝

控制器

典型應(yīng)用

打標(biāo)說(shuō)明及管腳分布

管腳描述

 

zui大額定值(1)

參數(shù)范圍

VDD腳電壓-0.3 V to 9V

VSW腳電壓-2V to 45V

功耗2.5W

zui低/zui高存儲(chǔ)溫度Tstg -65 to 150

工作結(jié)溫范圍-40 to 150

封裝耗散等級(jí)

封裝RθJA (/W)

SOP8 90

1: 超出zui大額定值可能損毀器件。長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在zui大額定條件下可能會(huì)影響器件的可靠性。

*工作范圍

符號(hào)參數(shù)范圍單位

SW 20~45 V

VDD 7~9 V

Operation Junction Temp -40~125

 

電氣特性(注2

(如果沒(méi)有特殊說(shuō)明,環(huán)境溫度= 25)

符號(hào)參數(shù)測(cè)試條件zui小值典型值z(mì)ui大值單位

電源電壓(VCC電壓)

VUVLO VDD欠壓保護(hù)閾值電壓3.6 V

VDD VDD電壓VSW=40V,CvDD=0.1uF 7.8 V

IOP VDD工作電流VDD=6V,CvDD=0.1uF 44 56 68 uA

VDD_START 啟動(dòng)管充電電壓3.85 V

SW端電壓檢測(cè)

VTH_ON 檢測(cè)VSW腳開(kāi)啟閾值-300 mV

VTH_OFF 檢測(cè)VSW腳關(guān)斷閾值-5 mV

TON_DELAY 開(kāi)通延遲190 ns

TOFF_DELAY 關(guān)斷延遲10 ns

TB MOS開(kāi)啟消隱時(shí)間500 ns

TOFF_MIN MOSzui小關(guān)斷時(shí)間2.5 us

功率管

Rdson 功率管導(dǎo)通阻抗VGS=4.5V,IDS=30A 12 17 mΩ

BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V

2:典型參數(shù)值為25下測(cè)試得到的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

使用說(shuō)明

CLR6212SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片,內(nèi)置電壓降極低的N-MOSFET,可以提高系統(tǒng)效率。

啟動(dòng)

CLR6212SQA具有UVLO功能,當(dāng)VDD電壓高于VDD_START,IC從鎖存模式切換到正常工作模式,當(dāng)VDD電壓低

VUVLO(ON),IC再次進(jìn)入鎖存模式,此時(shí)MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被拉低。

同步工作模式

芯片通過(guò)檢測(cè)VSW來(lái)控制功率MOSFET的開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)同步整流功能。當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW<-300mV時(shí),MOSFET打開(kāi),

副邊開(kāi)始續(xù)流,MOSFET的導(dǎo)通壓降會(huì)使得VSW電位線性升高,當(dāng)芯片檢測(cè)到VSW>-5mV時(shí)MOSFETGATE電位在

TOFF_DELAY后變低,MOSFET關(guān)閉。

消隱時(shí)間

當(dāng)功率MOSFET打開(kāi)時(shí),副邊漏感和MOSFET的輸出電容產(chǎn)生振蕩,容易使VSW的電壓大于-5mV,引起MOSFET

的誤關(guān)斷,為了避免該現(xiàn)象,芯片內(nèi)部設(shè)定一個(gè)固定的消隱時(shí)間,在消隱時(shí)間內(nèi)即使VSW大于-5mV,MOSFET也不會(huì)

誤關(guān)斷。

深圳市恒創(chuàng)億科技有限公司  

封裝說(shuō)明:SOP8

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