目录:郑州成越科学仪器有限公司>>CVD气相沉积系统>> CY-200S-ALDALD原子层沉积系统
原子层沉积（ALD）系统是一种用于在基板表面沉积超薄膜的精密设备，具有原子级别的厚度控制能力。ALD系统通常用于半导体制造、纳米技术、光电器件、以及其他高科技领域。
**的厚度控制：ALD通过交替引入不同的前驱体气体，在基板表面进行自限性反应，每次反应只沉积一个原子层，确保了膜厚的原子级别**控制。
均匀的薄膜覆盖：该系统能够在复杂的三维结构和高纵横比的基板上实现均匀的薄膜沉积，这在传统的沉积方法中较为困难。
广泛的材料兼容性：ALD系统可以沉积多种材料，包括氧化物、氮化物、金属和合金等，适应不同的工艺需求。
高质量薄膜：沉积的薄膜具有高密度、低缺陷和优良的电学和机械性能，适用于高要求的应用场景。
温和的工艺条件：ALD工艺通常在较低温度下进行，有利于在热敏感材料或器件上沉积薄膜。
| 型号 | CY-200S-ALD |
| 反应腔 | 可以生长*大 8 英寸方形样品的标准腔体，标准*大样品高度 20mm；。 基底加热温度 RT-400℃可控，控制精度±1℃；腔体烘烤温度 RT-200℃可控，控制精度±1℃ |
| 沉积模式 | 包括以下 2 种工作模式： 高速沉积的连续模式 TM （Flow TM ） 沉积超高宽深比结构的停流模式 TM （StopFlow TM ） |
| 前驱体源 | 共 5 路前驱体源；1 路为常温源，4 路为加热源，加热温度 RT-200℃可控，控制精度±1℃；加热源配备高温手动阀；标准前驱体源瓶体积 50cc。 1 路为常温源可接水/臭氧/氧气/氨气/H2S 源等，制备氧化物，氮化物和硫化物。任意一路加热源可接相关前驱体源。 |
| 前驱体管路 | 所有前驱体管路全部采用 316L 不锈钢 EP 级管路，所有管路加热温度RT-150℃可控。 |
| ALD 阀 | 每一路前驱体配置一个原子层沉积专用高速高温 ALD 阀；ALD 阀采用系统集成的表面安装，维修更换时可以用盲板代替；阀体加热温度RT-150℃可控 |
| 真空规 | 进口宽范围真空规，测量范围 2x10-4 to 10+3torr |
| 排气管路 | 排气管路加热温度 RT-150℃可控；配置截止阀一个，加热温度 RT-150℃可控。 |
| 臭氧发生器系统 | 高浓度臭氧发生器，包括管路，裂解器附件；*高产量>15g/h，功率0~300W可调，*大浓度>3.5%(w/w) |
| 升级接口 | 升级6路前驱体源的升级接口； 用于原位升级微波等离子体源或者分子动能系统的硬件软件接口； 以上升级接口可以实现原位升级，无需将设备返回厂家。 |
| 控制硬件 | PLC 控制系统。 |
| 控制软件 | autoALDTM专用软件全自动控制加热、流量、等全部沉积过程，以及温度、压强等实时监控。 |
| 真空机械泵 | 型号：TRP-6。 |
| 保修 | 1 年免费保修，自验收之日起。 |
| 安装培训 | 工程师现场安装培训。 |
| 部件名称 | 部件说明 |
| 主机 | 8 英寸方形原子层沉积系统 包括： 5路前驱体源, 包括管路、高温ALD阀门、50ml 源瓶， 4路为加热源，1路为常温源 沉积自动控制系统, autoALDTM沉积程序控制软件, 预装Windows TM的笔记本电脑, |
| 臭氧发生器系统 | 高浓度臭氧发生器，包括管路，裂解器附件*高产量>15g/h，*大浓度>3.5%(w/w) |
| 高样品腔盖 | 用于装载高(适合高样品高度 ≤ 20 mm)样品 |
| 真空机械泵系统 | 机械泵与相关管路 真空机械泵型号：北仪优成 TRP-6 |
应用领域：
1. 半导体制造
栅极氧化物：用于制造的半导体器件，如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
高k电介质：在集成电路中沉积高介电常数材料，以提高器件性能和降低漏电。
铜互连：通过沉积阻挡层和种子层，改善半导体芯片中的铜互连结构。
2. 存储器件
DRAM与闪存：在动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（如3D NAND）中沉积高k材料和导电层，以提升存储密度和性能。
3. 光电器件
太阳能电池：在薄膜太阳能电池中沉积透明导电氧化物或钝化层，提升光电转换效率。
LED和OLED：沉积发光层和电极材料，以提高有机发光二极管（OLED）和发光二极管（LED）的性能。
4. 纳米技术
纳米结构涂层：在纳米线、纳米管等复杂纳米结构上均匀沉积薄膜，优化光学和电学特性。
量子点涂层：在量子点材料上沉积保护性或功能性薄膜，提高其稳定性和效率。
5. 防护涂层
电子产品：在电子器件上沉积防潮、防腐蚀涂层，延长使用寿命。
：在生物材料和植入物上沉积生物相容性涂层，改善其与人体组织的相容性。
6. 催化剂制备
**催化剂层：通过控制催化剂层的厚度和分布，提升催化性能，广泛应用于化学反应和能源转化领域。
7. 能源存储
电池电极：在锂离子电池和超级电容器中沉积薄膜电极材料，提高能量密度和循环寿命。
燃料电池：用于燃料电池中电极和质子交换膜的薄膜沉积，提升电池效率和耐久性。
8. 传感器
气体传感器：在气体传感器上沉积敏感薄膜，提升其对目标气体的检测灵敏度和选择性。
生物传感器：在生物传感器上沉积功能性薄膜，增强对生物分子的识别和检测能力。
9. 显示技术
薄膜晶体管（TFT）：在液晶显示器（LCD）和有机发光显示器（OLED）中用于制造薄膜晶体管，改善显示器性能。
触摸屏：在触摸屏中沉积导电薄膜，提升屏幕的电学性能和触控灵敏度。
应用案例（在硅片或者玻璃片上沉积Al2O3）
在硅片或玻璃片上使用原子层沉积（ALD）技术沉积氧化铝（Al2O3）薄膜的过程通常包括以下步骤。该过程主要依赖于前驱体和反应气体的交替引入，以实现原子级别的薄膜生长。
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