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硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料，暗導(dǎo)率低，允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍：空間光調(diào)制器、光開(kāi)關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進(jìn)的Czochralski法生長(zhǎng)了BSO晶體，其孔徑可達(dá)3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長(zhǎng)，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是，F(xiàn)e：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產(chǎn)。

SBN晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進(jìn)的Stepanov法生長(zhǎng)，線性尺寸可達(dá)40 mm。

鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體，可以積累大量光致空間電荷。

硅酸鉍晶體主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

BSO晶體主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開(kāi)關(guān)

-相位共軛混合器。

鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

LiNbO3晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開(kāi)關(guān)

-全息記錄

-光波導(dǎo)

SBN晶體的主要特點(diǎn)：

-Ce，Cr，Co，F(xiàn)e純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸，摻雜水平，無(wú)極化，減反射涂層和沒(méi)有電極晶體可根據(jù)要求

SBN晶體的主要應(yīng)用：

-光學(xué)信息記錄

-熱釋電探測(cè)器

-自泵浦自共軛鏡

-光學(xué)相關(guān)器

BGO晶體的主要特點(diǎn)：

-高電光系數(shù)(r41=3，5 pm/v)

-低暗電導(dǎo)

-大尺寸元件或晶片最多可達(dá)3“

-可根據(jù)要求定制

BGO晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開(kāi)關(guān)

-光學(xué)相關(guān)器