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MEMS技術(shù)納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器研究
隨著納米技術(shù)發(fā)展，納米多晶硅薄膜表現(xiàn)出優(yōu)異的壓阻特性，基于MEMS技術(shù)在100晶向單晶硅襯底上設(shè)計(jì)、制作納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器。通過采用LPCVD法在SiO2層上制備納米多晶硅薄膜，薄膜厚度分別為61nm、82nm、114nm和170nm，通過XRD和SEM，研究薄膜厚度和退火溫度對(duì)納米多晶硅薄膜微結(jié)構(gòu)特性的影響。

MEMS技術(shù)納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器研究
當(dāng)今社會(huì)，計(jì)算機(jī)技術(shù)不斷的發(fā)展，信息處理技術(shù)也隨之不斷的發(fā)展完善。而E+E傳感器作為提供信息的一種工具，它的發(fā)展就顯得相對(duì)落后了。E+E傳感器技術(shù)是21世紀(jì)人們?cè)趦?yōu)良發(fā)展方面爭(zhēng)奪的一個(gè)制高點(diǎn)，在當(dāng)代科技領(lǐng)域中占有十分重要的地位。人們開始越來越多的關(guān)注E+E傳感器技術(shù)。近年來，E+E傳感器技術(shù)的研究與開發(fā)取得了一定成果，但它遠(yuǎn)不能滿足人們實(shí)際的需求，壓力測(cè)量領(lǐng)域的發(fā)展更為迫脅。在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)過程中，為了使設(shè)備工作在正常狀態(tài)或*狀態(tài)，并使產(chǎn)品達(dá)到的質(zhì)量，必須運(yùn)用各種E+E傳感器來監(jiān)視和控制生產(chǎn)過程中的各個(gè)參數(shù)XRD測(cè)試結(jié)果表明，納米多晶硅薄膜在111晶向、220晶向和311晶向形成硅衍射峰，擇優(yōu)取向?yàn)?20晶向，隨著薄膜厚度增加，硅衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng)，隨著退火溫度升高，衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng)，晶粒尺寸增大；SEM測(cè)試結(jié)果表明，薄膜表面均勻，平整度較好，當(dāng)薄膜厚度為61nm時(shí)，晶粒尺寸約為40nm，隨著膜厚增加，晶粒尺寸增大?；趬鹤栊?yīng)，本文在C型單晶硅杯上設(shè)計(jì)四個(gè)納米多晶硅薄膜電阻，構(gòu)成惠斯通電橋結(jié)構(gòu)，當(dāng)外加壓力P≠0kPa時(shí)，硅膜發(fā)生彈性形變，引起納米多晶硅薄膜電阻阻值發(fā)生變化，橋路輸出電壓發(fā)生改變，實(shí)現(xiàn)對(duì)外加壓力的檢測(cè)。通過采用MEMS技術(shù)和LPCVD方法，實(shí)現(xiàn)尺寸為5mm×5mm的納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器芯片的制作。在室內(nèi)環(huán)境溫度為20℃，相對(duì)濕度為15%RH的條件下，采用壓力校準(zhǔn)系統(tǒng)（Fluke719100G）、數(shù)字萬(wàn)用表（Agilent34401A）、恒壓源（Rigol DP832）及高低溫濕熱試驗(yàn)箱（GDJS-100G）對(duì)納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器進(jìn)行測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)工作電壓VDD=5.0V時(shí)，薄膜厚度為170nm，硅膜厚度為56μm，壓敏電阻長(zhǎng)寬比為320μm/80μm的E+E壓力傳感器，其滿量程(400kPa)輸出電壓為128.10mV，靈敏度為0.31mV/kPa，線性度為0.38%F.S.，重復(fù)性為0.19%F.S.，遲滯為0.15%F.S.，準(zhǔn)確度為0.46%F.S.，在-40℃~150℃環(huán)境溫度下，靈敏度溫度系數(shù)為-0.099%/℃，相同條件下，硅膜厚度為47μm的E+E壓力傳感器，靈敏度可達(dá)到0.45mV/kPa。

MEMS技術(shù)納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器研究
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本文設(shè)計(jì)、制作的納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)壓力的檢測(cè)，具有良好的壓敏特性和溫度特性，為E+E壓力傳感器在提高靈敏度和改善溫度特性方面的研究奠定基礎(chǔ)。