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西安立鼎光電科技有限公司

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美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）

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產(chǎn)品分類品牌分類

Leading相機(jī)系列: 高幀頻短波紅外相機(jī) 寬波段短波紅外相機(jī) 高分辨率短波紅外相機(jī) 大靶面短波紅外相機(jī) Leading線陣相機(jī) 深度制冷短波紅外相機(jī) Leading640短波紅外相機(jī) Leading320短波紅外相機(jī) 1550nm激光光斑跟蹤相機(jī)

Raptor科學(xué)級(jí)相機(jī): 高幀頻1000FPS-EMCCD 深度制冷CCD-風(fēng)冷結(jié)構(gòu) 超高幀頻制冷CCD 深度制冷短波紅外SWIR相機(jī) 科學(xué)級(jí)深度制冷X-Ray相機(jī) SWIR短波紅外相機(jī) 高分辨率深度制冷CCD相機(jī) 高靈敏度EMCCD相機(jī) 高分辨率EMCCD相機(jī) 高幀頻電子倍增CCD相機(jī) 寬波段深度制冷EMCCD相機(jī)

銦鎵砷短波探測(cè)器: 線陣短波InGaAs探測(cè)器 320×256InGaAs探測(cè)器 640×512InGaAs探測(cè)器

光電對(duì)抗測(cè)試產(chǎn)品系列: 紅外發(fā)射率測(cè)量產(chǎn)品紅外輻射測(cè)量產(chǎn)品

IDQ單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器: ID230單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器 ID Qube NIR Free-Running紅外異步單光子探測(cè)器 ID Qube NIR Gated紅外單光子探測(cè)器 ID220單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器 ID120單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器 ID100單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器 ID101OEM可見光光子計(jì)數(shù)器 ID900時(shí)間控制器 ID300短脈沖激光源

高光譜相機(jī): 國(guó)產(chǎn)高光譜相機(jī) LWIR長(zhǎng)波高光譜相機(jī) MWIR中波高光譜相機(jī) SWIR短波紅外高光譜相機(jī) NIR近紅外高光譜相機(jī) 可見光-近紅外高光譜相機(jī)

SI深度制冷CCD相機(jī): SI-1600S大靶面COMS相機(jī) SI-1100S大靶面CCD相機(jī) SI-1000S深度制冷CCD相機(jī) SI-850S深度制冷CCD相機(jī) SI-800S深度制冷CCD相機(jī)

科學(xué)級(jí)相機(jī): 進(jìn)口短波紅外相機(jī) 夜視ICMOS相機(jī) 工業(yè)sCMOS相機(jī) 紫外相機(jī) 高分辨率天文學(xué)CCD相機(jī)

激光測(cè)距系列: 激光測(cè)距模組激光測(cè)距探測(cè)器（APD）激光器

THz系列: TK絕對(duì)THz功率/能量計(jì) THz功率計(jì) THz時(shí)域光譜儀 THz相機(jī) THz源 THz超快探測(cè)器

紅外熱像儀: 長(zhǎng)波非制冷紅外熱像儀長(zhǎng)波制冷紅外熱像儀中波制冷紅外熱像儀

目標(biāo)模擬器: 多功能動(dòng)態(tài)目標(biāo)模擬系統(tǒng) 紅外圖像目標(biāo)模擬器激光模擬器便攜式紅外目標(biāo)模擬器紅外點(diǎn)源、干擾目標(biāo)模擬器可見光目標(biāo)模擬器

專用光電測(cè)試系統(tǒng): 多譜段激光分布測(cè)試系統(tǒng) 大口徑平行光管全自動(dòng)定焦系統(tǒng) 紅外靈敏度測(cè)試系統(tǒng) 紅外導(dǎo)引、控制測(cè)試系統(tǒng) 告警能力探測(cè)概率測(cè)試系統(tǒng) 激光光電探測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)裝置野外便攜式多光軸平行性校正儀大口徑平行光管測(cè)試儀電視紅外圖像跟蹤性能檢測(cè)系統(tǒng) 紅外光學(xué)及成像測(cè)試系統(tǒng) 便攜式整機(jī)光學(xué)性能測(cè)試系統(tǒng) 激光膜層損傷閾值測(cè)試系統(tǒng) 多光譜多光軸測(cè)試系統(tǒng)

通用測(cè)試設(shè)備: 光學(xué)傳遞函數(shù)測(cè)試儀相機(jī)/熱像儀/激光測(cè)試系統(tǒng) 微區(qū)拉曼/PL光譜分析儀激光波長(zhǎng)計(jì)/激光功率計(jì)

點(diǎn)元光電探測(cè)器: 光導(dǎo)碲鎘汞HgCdTe PC（1um-26um）光伏碲鎘汞HgCdTe PV（0.5um-11um）銻化銦InSb（1um-5.5um）硫化鉛PbS（1.0um-3.5um）砷化銦InAs（1.0um-3.8um）銦鎵砷InGaAs（0.5um-2.6um）鍺Ge（0.5um-1.8um）硅Si（300nm-1100nm）碳化硅SiC（190nm-450nm）

光纖滑環(huán): 光電組合滑環(huán) 多通道光纖滑環(huán) 雙通道光纖滑環(huán) 微型光纖滑環(huán) 單通道光纖滑環(huán)

光學(xué)鏡頭及光學(xué)元件: 高精度光學(xué)元件快速反射鏡振鏡系列聚焦可調(diào)鏡頭

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì)介紹

美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）
InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb紅外探測(cè)器.公司成立時(shí)總部位于新澤西,1997年公司經(jīng)過革新,總部搬到佛羅里達(dá).
InfraRed提供各種制冷方式的HgCdTe和InSb 探測(cè)器,包括液氮制冷,斯特林制冷和熱電點(diǎn)制冷。.

美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）

1.光譜響應(yīng)曲線

2.選型表格

1)液氮制冷

美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）

2)熱電制冷

封裝圖: 典型應(yīng)用:

3.前置放大器

\

前置放大器型號(hào):MCT-1000

連接方式:BNC

供電電壓:±15V DC ; 至少200mA(+15V) 和100mA(-15V) 的輸出.

帶寬: 1.5HZ -- 150KHz.zui高可5MHz.

調(diào)節(jié)前放的增益,可以把信號(hào)放大50-1000倍.

4.探測(cè)器應(yīng)用



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