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IFW成立于1981年，是專業(yè)生產(chǎn)SIC紫外探測器的一家公司，擁有20多年的歷史。產(chǎn)品種類，多達(dá)100多種，相對于Si，金剛石薄膜，TiO2，鉆石等紫外探測器，擁有巨大的優(yōu)勢！是您紫外探測應(yīng)用的*產(chǎn)品！
產(chǎn)品特點(diǎn)：光譜響應(yīng)范圍*于200-400nm 或（210-380nm）,不需要額外的濾光片來屏蔽可見光或紅外輻射紫外碳化硅SiC光電探測器（190nm-400nm）

紫外碳化硅SiC光電探測器（190nm-400nm）

一、JEA系列單獨(dú)封裝探測器：

1、JEA系列SiC探測（可選擇耐高溫至150℃）

Detector Model Number	Active area (mm²)	Spectral range (nm)	Reverse voltage (V)	Peak wavelength (nm)	Spectral responsivity (A/W)		Dark current (fA)	Capacitance (pF)	Fieldof view (FOV) degree
Detector Model Number	Active area (mm²)	Spectral range (nm)	Reverse voltage (V)	Peak wavelength (nm)	Typ	Max	Dark current (fA)	Capacitance (pF)	Fieldof view (FOV) degree
JEA0.1 JEA0.1I （TO39/ TO39i）	0.365*0.365	210-355	20	265	0.16	0.18	10	30	+/-40
JEA0.1S JEA0.1ISZ （TO18/ TO18i）	0.365*0.365	210-355	20	265	0.16	0.18	10	30	+/-27
JEA0.1SS JEA0.1ISSZ (TO52/ TO52i）	0.365*0.365	210-355	20	265	0.16	0.18	10	30	+/-40
JEA0.25 JEA0.25I （TO39/ TO39i）	0. 55*0. 55	205-355	10	265	0.16	0.18	10	75	+/-45
JEA0.25S JEA0.25ISZ （TO18/ TO18i）	0. 55*0. 55	205-355	10	265	0.16	0.18	10	75	+/-35
JEA0.25SS JEA0.25ISSZ （TO52/ TO52i）	0. 55*0. 55	205-355	10	265	0.16	0.18	10	75	+/-40
JEA2 JEA2I (TO-39/ TO39i)	1,415x1,415	215-355	20	265	0.13	0.15	200	400	+/-45
JEA2S JEA2ISZ (TO-18/ TO18i )	1,415x1,415	215-355	20	265	0.13	0.15	200	400	+/-35
JEA2SS JEA2ISSZ (TO-52/ TO52i )	1,415x1,415	215-355	20	265	0.13	0.15	200	400	+/-40
JEA5 (TO-39 )	Ø 2,525	215-360	20	270	0.14	0.16	500	1000	/
JQC 5 (TO-39)	4×*1.25 (<0.2mm)	215-360	20	270	0.14	/	100	250	/

注：以上探測器的工作溫度是-45℃至100儲存溫度是-40℃至100℃，焊接溫度是260℃。

紫外碳化硅SiC光電探測器（190nm-400nm）

二、JEA系列帶濾光片的SiC探測器：

Detector Model Number	Active area (mm2)	Spectral range (nm)	Reverse voltage (V)	Peak wavelength (nm)	Spectral responsivity (A/W) Typ	Dark current (fA)	Capacita-nce (pF)	Height of package H （mm）	Fieldof view (FOV) degree
JEA0.1C (TO5)	0,365x0,365	225-280	10	265	0.18	10	30	4.5	+/-45
JEA0,1BC (TO5)		228-322		275	0.19			4.5	+/-45
JEA 0.1B (TO5)		265-322		300	0.12			6.8	+/-45
JEA 0.1C-S (TO18)	0,365x0,365	220-280		265	0.18	10	30	5.2	+/-25
JEA0,1BC-S(TO18)		228-322		275	0.19				+/-25
JEA 0.1B-S (TO18)		265-322		300	0.12				+/-25
JEA1C (TO)	1*1	225-280		265	0.18	10	30	4.5	+/-45
JEA1BC (TO)		228-322		275	0.19			4.5	+/-45
JEA1B (TO)		265-322		300	0.12			6.8	+/-45
JEA2C (TO)	1.415*1.415	225-280		265	0.18	200	400	4.5	+/-45
JEA2BC (TO)		228-322		275	0.19			4.5	+/-45
JEA2B (TO)		265-322		300	0.12			6.8	+/-45

注：以下探測器的工作溫度是-25℃至70℃，儲存溫度是-40℃至100℃，焊接溫度是260℃。

注：反向電壓是20V。

紫外碳化硅SiC光電探測器（190nm-400nm）

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