您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)! 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
當前位置:> 供求商機> LD-FPA-320×256-C-CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm,目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結(jié)合,同時采用LCC及Kovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。同時,我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。
|
|
|
1.1、FPA-320x256InGaAs Imager(0.9um-1.7um)
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案,CLPT的核心技術是實現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機制造商的機械設計。CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
|
|
|
zui大額定值
參數(shù) | 單位 | zui小值 | zui大值 |
工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 85 |
儲存溫度范圍 | ℃ | -40 | 85 |
功耗 | mW | --- | 175 |
FPA特性
參數(shù) | 典型值 | 條件 |
光譜響應 | 0.9um-1.7um | --- |
zui小像素的可操作性 | >99% | 318*254內(nèi)的中心地區(qū) |
暗電流 | <0.4PA | 25℃,0.1V 探測器偏壓 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探測率 | ≥5*1011Jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
響應非均勻性 | <10% | 飽和度低于50%,25℃ |
非線性(zui大偏差) | <2% | 超過10%-90%滿阱容量 |
zui大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:14.38uV/e- Low:0.77 uV/e- | 25℃ |
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。