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美國(guó)EOS硅si光電探測(cè)器

1、Si探測(cè)器（響應(yīng)波段范圍：0.2-1.1）:

簡(jiǎn)介：美國(guó)EOS硅si光電探測(cè)器，硅的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。

室溫Si探測(cè)器:

Detector type	Active Dia (mm)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance (PF),tpy	Operating Wavelength (nm)	Spectral Responsivity (A/W)	NEP (W/ ) @800nm,1KHz
S-010	1.0	500	25	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
UVS-010	1.0	500	50	200-1000	0.55@800nm	<1.0x
S-025	2.5	500	400	300-1000	0.55@850nm	<1.0x
UVS-025	2.5	200	300	200-1000	0.50@800nm	<1.5x
S-050	5	200	1500	350-1100	0.55@850nm	<1.5x @850nm
UVS-050	5	50	1000	200-1100	0.50@800nm	<3.0x @700nm
S-100	10	10	1000	350-1100	0.50@850nm	<1.0x @850nm
UVS-100	10	50	1800	200-1000	0.50@800nm	<5x @800nm
S-113	11.3	200	9000	300-1100	0.55@850nm	<1.5x
UVS-113	11.3	10	4000	200-1000	0.50@800nm	<1.0x

二級(jí)制冷Si探測(cè)器:

type	Operating Temperature(℃)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance (PF),tpy	NEP (W/ )@800nm	Responsivity@850nm (A/W)	Cooler Current (A)
S-010-TE2	22	500	25		0.55	0.00
S-010-TE2	-30	>1000	25		0.55	0.65
UVS-010-TE2	22	500	50		0.55	0.00
UVS-010-TE2	-30	>1000	50		0.55	0.65
S-025-TE2	22	100	400	<1.9x10^-14	0.55	0.00
S-025-TE2	-30	>1000	400	<5x10^-15	0.55	0.65
UVS-025-TE2	22	200	300	<1.5x10^-14	0.55	0.00
UVS-025-TE2	-30	>1000	300	<10^-14	0.55	0.65
S-050-TE2	22	>200	1000	<1.5x10^-14	0.55	0.00
S-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
UVS-050-TE2	22	>100	1000	<2x10^-14	0.55	0.00
UVS-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
S-100-TE2	22	10	1000	<1.0x10^-13	0.50	0.00
S-100-TE2	-30	500	900	<1.0x10^-14	0.50	0.70
UVS-100-TE2	22	50	1800	<5.0x10^-14	0.50	0.00
UVS-100-TE2	-30	1000	1600	<1.0x10^-14	0.50	0.70