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目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>先進(jìn)材料測(cè)試儀器>>絕緣材料測(cè)試>> HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀
  • HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀
參考價(jià) 555
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
555
≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時(shí)間:2025-04-22 09:53:00瀏覽次數(shù):178評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,航空航天,綜合
HTIM-300高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試,該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā),可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),三元化合物半導(dǎo)體GaA

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀
HTIM-300高低溫材料電阻率測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評(píng)估和測(cè)試,該系統(tǒng)采用四線電阻法測(cè)量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā),可以在高溫、真空氣氛的條件下測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率,可以分析被測(cè)樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)試,可以廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),三元化合物半導(dǎo)體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導(dǎo)體,如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測(cè)量等材料的電阻率測(cè)量。

二、主要應(yīng)用領(lǐng)域:

半導(dǎo)體材料電阻測(cè)試

復(fù)合絕緣材料

陶瓷材料

云母

玻璃材料

導(dǎo)電功能薄膜材料

絕緣超材料

硅橡膠材料

PCB材料
三、主要技術(shù)參數(shù):
溫度范圍:-160℃-600℃
升溫斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)
控溫精度:±0.5℃
電阻測(cè)量范圍:0.1mΩ~1MΩ
電阻率測(cè)量范圍:100nΩ..cm~100KΩ .cm
測(cè)量環(huán)境:惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測(cè)量方法:四線電阻法
測(cè)試通道:?jiǎn)瓮ǖ?/span>
樣品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm
電極材料:紫銅鍍金
絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式:TXT文本格式
數(shù)據(jù)傳輸:USB
符合標(biāo)準(zhǔn):ASTM
供電:220V±10%,50Hz
工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;
存儲(chǔ)溫度:–40 ℃ 至 +65 ℃
工作濕度:+40 ℃ 時(shí),相對(duì)濕度高達(dá) 95%(無冷凝)
設(shè)備尺寸:400x450x580mm
重量:38kg

 

案列:交付中科院上海微電子系統(tǒng)研究所

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀 

現(xiàn)場(chǎng)交付圖

能提供從-190℃到600℃溫度范圍內(nèi)的精準(zhǔn)控制。

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀 

   現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試變溫電阻測(cè)試數(shù)據(jù)(二)

測(cè)試樣品為高阻材料,實(shí)驗(yàn)顯示隨溫度升高,材料電阻在高溫下驟降。在本次交付中,針對(duì)客戶需求,對(duì)配套軟件進(jìn)行了定制。

HTIM-300型高低溫材料電阻率測(cè)試儀 

包含兩種測(cè)試模式:

①RT測(cè)試:樣品電阻隨溫度變化;

②數(shù)據(jù)時(shí)間譜測(cè)試:到達(dá)設(shè)定溫度后,樣品電阻隨時(shí)間變化。



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