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金屬、半導體、導電高分子薄膜TFRT-300型薄膜變溫電阻測試儀

閱讀:76      發(fā)布時間:2024-10-12
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TFRT-300型薄膜變溫電阻測試儀

關(guān)鍵詞:薄膜電阻,磁阻,鐵磁/非鐵磁/鐵磁薄膜電阻

TFRT-300型薄膜變溫電阻測試儀是一款多用途的電阻測試儀,即可應用于金屬、半導體、導電高分子薄膜(或塊材)電阻率和磁阻的測量,也可以應用于鐵磁/非鐵磁/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測量,是研究薄膜材料電阻和磁阻變化特性的重要儀器,對于先進材料應用和開發(fā)有著重要意義。

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一、特點:

1.采用專用高精度電阻測試儀和溫度測試儀以及四端測量法減小接觸電阻對測量的影響,測量材料電阻R隨溫度T的變化;

2.采用Helmholtz線圈提供均勻的磁場,用它可以產(chǎn)生極微弱的磁場直至數(shù)百Gs的磁場。用四端法測量樣品電阻隨溫度的變化,可減小接觸電阻對測量的影響,提高測量精度;

3.采用氮氣保護,可連續(xù)測量樣品在150K~600K范圍內(nèi)電阻隨溫度的變化,可拓展到1800℃;

4.采用流行的USB2.0接口與計算機相連,數(shù)據(jù)采集迅速準確;

5.用戶界面直觀友好,方便用戶使用。

二、應用:

1.金屬、半導體、導電高分子薄膜(或塊材)電阻率和磁阻的測量

2.金屬薄膜材料的電阻率,磁阻的測量(較大厚度0.2mm)

3.金屬塊體材料電阻率的測量(較大厚度3mm)

4.磁性合金薄膜的磁電阻測量

5.鐵磁/非鐵磁/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測量

6.自旋閥型巨磁電阻薄膜、隧道結(jié)型磁電阻薄膜的磁電阻測量

三、主要技術(shù)參數(shù):

型號

TFRT-300A

TFRT-300B

TFRT-300C

溫度范圍

150K~600K

RT~1200 ℃

RT~1800 ℃

磁場

0~1.3T(匹配)

電阻測量范圍

1μΩ~3MΩ,準確度:± 0.1FS

溫度測量精度

熱電阻0.1%±0.1℃;熱電偶0.5%±0.5℃

恒流源

1μA~1A,準確度:± 0.1FS(FS為滿量程值)

供電電源

220 V AC

額定功率

< 2000W

注意事項

溫度和電阻測量范圍等可按需求定制,請咨詢技術(shù)人員



提供商

北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司

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