LaAlO3/SrTiO3钙钛矿结构氧化物薄膜 尺寸

西安齐岳生物供应一系列的导电薄膜产品列表：

LaAlO3+SrTiO3薄膜
LaAlO3/SrTiO3钙钛矿结构氧化物薄膜
SrTiO3/LaAlO3/SrTiO3(001)异质结
SrTiO3(001)衬底上外延制备10晶胞层厚度的LaAlO3薄膜
Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜10x5x0.5 mm
Al2O3+YBCO薄膜3" dia.x0.5 mm
Al2O3/YBCO功能外延薄膜
YBCO/CeO2/Al2O3双面导外延薄膜
YIG单晶外延薄膜GGG衬底
钇铁石榴石YIG外延薄膜GGG衬底
钇铁石榴石（Yttrium Iron Garnet）在GGG衬底外延薄膜
Al2O3+ZnO薄膜
Al2O3/ZnO薄膜
CVD生長ZnO/GaN/Al2O3薄膜
Al2O3衬底上外延生长ZnO薄膜

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
p型4H-SiC单晶
4H-SiC同质外延薄膜
4H-SiC材料p型掺杂材料
SiC 3C薄膜
PECVD生长3C结构SiC外延薄膜
3C-SiC（100）薄膜
Si+SiO2薄膜
Si/SiO2薄膜
Si衬底SiO2薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
常规厚度300nmSiO2
 

LaAlO3/SrTiO3钙钛矿结构氧化物薄膜 尺寸

产品描述：

采用脉冲激光沉积(PLD),在TiO_2终止面的SrTiO_3(001)和斜切20°的SrTiO_3(001)基底上外延生长了钙钛矿氧化物LaAlO_3/SrTiO_3界面,研究了不同光波段下界面的光电性质,同时探究了电场、光场和磁场等外场对界面材料物理性质的影响,取得了以下结果:1、外延生长了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3异质结界面样品,观察到了导电型LaAlO_3/SrTiO_3界面电阻的温度变化性质,利用后续氧退火工艺实现了界面样品由金属性导电向性质的转变,证明了界面材料的导电性主要来源于基底SrTiO_3(001)中的氧空位。进一步研究表明在温度170K以下氧空位不能产生界面中的磁性,而基底SrTiO_3中Ti3d(t2g)态的自旋极化对界面的铁磁性质起到了决定性作用。2、外延生长了不同厚度导电型LaAlO_3/SrTiO_3界面样品,观察到了界面的太阳光光电导开关性质,得到了不同光功率下界面样品的光电导变化趋势,证明了界面的光电导性质是由光激发产生的。3、外延生长了10个原胞层厚度的LaAlO_3/SrTiO_3倾角界面样品,观察到了倾角LaAlO_3/SrTiO_3界面的深紫外瞬态光生伏*应,证明了界面中的光伏效应主要来源于光激发和倾角结构,但氧空位和缺陷对界面的光伏效应具有重要影响。进一步研究表明光电压峰值随着位置的移动存在变化,大相对变化率245%。4、外延生长7个原胞层厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面样品,观察到了导电型LaAlO_3/SrTiO_3界面样品具有红外光谱响应度,在低温110 K下可利用磁场其中红外光谱响应度并出现饱和。阐明了界面中存在的自旋轨道耦合效应是界面中红外光谱响应的主要来源。通过进一步研究表明,光谱响应度转变现象与SrTiO_3基片的结构相变有关。同时,利用二维红外相关光谱分析法发现了界面中还存在其他次能级结构,证明了低温下界面中的自旋轨道耦合效应对界面中红外光谱响应起到了决定性的作用。5、外延生长了不同厚度的LaAlO_3/SrTiO_3界面样品,发现了导电型LaAlO_3/SrTiO_3界面样品对太赫兹波具有强反射现象,同时界面中极化强度的变化可被太赫兹波分辨。进一步研究表明太赫兹波可以检测极化强度有变化的样品,实现了太赫兹波在纳米尺度上的分辨。

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温馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）