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CVD铜基单层氮化硼薄膜/硅基/石墨烯异质结

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更新时间:2020-05-14 15:13:53浏览次数:300次

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CVD铜基单层氮化硼薄膜/硅基/石墨烯异质结提供使用说明书、核磁图谱、合成路线;制备方案、合成步骤等信息请咨询客服。

CVD铜基单层氮化硼薄膜/硅基/石墨烯异质结

西安齐岳生物供应一系列的纳米材料,供应

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CVD-2H-MoTe2全覆盖连续薄膜()
CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜
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CVD铜基单层氮化硼薄膜/硅基/石墨烯异质结

铜基单层六角氮化硼薄膜,六角氮化硼结构是类石墨烯结构,具有很高的研究价值,也可以用转移石墨烯的方法转移六角氮化硼材料。h-BN是一种直接带隙为5.97ev的体。由于h-BN具有很强的共价sp2键,其面内力学强度和热导率与石墨烯相近。h-BN比石墨烯具有更高的化学稳定性;它在空气中的稳定性可达1000℃(相比之下,石墨烯的相应温度为600℃)。

在化学气相沉积过程中,铜箔的两侧都会生长BN

规格:

接近*覆盖(90-95%),有一些小洞

铜箔的厚度是20微米

高结晶质量,见SAD(选定区域[电子]衍射)数据

透射电镜质量。TEM显示出的六边形结构。

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