介紹一種近紅外二區(qū)量子點：硒化鉛（PbSe）

近紅外二區(qū)量子點硒化鉛（PbSe）產品描述：

 PbSe量子點(PbSe-QDs)是紅外波段的納米材料，其具有大的玻爾半徑、小的體材料禁帶寬度(玻爾半徑是46 nm，體材料禁帶寬度是0.28 eV)，因此，在近紅外區(qū)域，PbSe-QDs具有尺寸受限效應和較高的量子產出率。采用配位溶劑的方法制備了尺寸為4.6和6.1 nm的PbSe量子點，將該PbSe量子點沉積到GaN發(fā)光芯片上并經過紫外光照處理和固化后制成了光致發(fā)光的近紅外光源，其中4.6 nm的PbSe-QDs的沉積厚度為671.5 μm，而6.1 nm的PbSe-QDs的沉積厚度為48 μm。將制成的近紅外光源應用到C₂H₂氣體和NH₃氣體的檢測實驗中，實驗結果表明，通過改變PbSe量子點的尺寸可以調節(jié)光源光致發(fā)光峰的位置，從而覆蓋目標氣體在近紅外波段的吸收譜線。4.6 nm的光源發(fā)射光譜包含了1 500～1 550 nm之間的C₂H₂氣體的的吸收譜;6.1 nm的光源發(fā)射光譜包含了1 900～2 060 nm之間的NH₃氣體的的吸收譜。這種利用PbSe量子點尺寸的可調性匹配對應氣體吸收譜的方法是可行和的，具有廣闊的應用前景。

近紅外二區(qū)量子點硒化鉛（PbSe）產品性質:

(1)量子點的發(fā)射光譜可以通過改變量子點的尺寸大小來控制。

(2)量子點具有很好的光穩(wěn)定性。

(3)量子點具有寬的激發(fā)譜和窄的發(fā)射譜。

(4)量子點具有較大的斯托克斯位移。

(5)生物相容性好。

(6)量子點的熒光壽命長。

半導體量子點是一種準零維的納米材料,當顆粒尺寸進入納米量級時,尺寸限域將引起尺寸效應、量子限域效應、宏觀量子隧道效應和表面效應,從而派生出納米體系不同于宏觀體系和微觀體系的低維物性,展現(xiàn)出許多不同于宏觀體材料的物理化學性質。

PbSe量子點作為Ⅳ-Ⅵ族半導體材料，也是重要的∏-∏鍵半導體材料。其具有較窄的直接帶隙。與其他半導體量子點相比，其激子波爾半徑為46nm，使其很容易獲得很強的量子限域效應。由于量子點產生的熒光可以覆蓋整個傳輸窗口，因此其在光學器件方面有著的應用前景。比如紅外探測器，太陽能吸收器，光學開關等。更重要的是，多激子效應已經在量子點上觀測到，這一發(fā)現(xiàn)使得量子點有望成為率的光電轉換裝置。

 紅外二區(qū)量子點硒化鉛（PbSe）制備方法包括以下步驟：

步驟一：預先制備的二苯基膦硒和三辛基膦硒作為硒源，以氯化鉛和油胺的復合物作為鉛源，利用室溫注入并升溫的方法來制備硒化鉛量子點。

具體可包括以下步驟：

步驟二：若要得到更大尺寸的量子點，還可進行二次注入硒源(二苯基膦硒和三辛基膦硒)，次注入硒源的物質的量可以調節(jié)尺寸的大小。

將反應混合物加熱到不同溫度可以控制PbSe量子點的尺寸，終的反應溫度越高，尺寸越大。

室溫時注入的兩種硒源的摩爾量應低于鉛源的二分之一，兩種硒源的比可以調控量子點的尺寸，三辛基膦硒越多，尺寸越大。

終得到的產物可以通過加入油酸并用常規(guī)的量子點分離純化的方法提純。

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