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LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

     GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

     我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

2、低温砷化镓

     对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1  ps。

     我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓。

低温砷化镓基片外延生长定制参数如下：

• 砷化镓晶片直径：2" 或4"

• 最大薄膜叠层厚度：5 μm

规格：

• LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片

• LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片

• LT-InGaAs-100：4"（100  mm）LT-InGaAs晶圆片

• LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4"（100  mm）LT-GaAs晶圆片