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貨物所在地：上海上海市
所在地： 英國
更新時間：2025-04-27 21:00:08
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產(chǎn)品簡介
效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用有著非常重要的影響，一個重要的方面就是寬的帶寬，以及高的電場強度。這通常依賴于大激發(fā)面積的輻射源，傳統(tǒng)的概念上輻射源需要高的偏置電壓（高至幾百V）激發(fā)才能達到KV/cm的THz電場強度。上海屹持光電推出的大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器是一款大激發(fā)面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導(dǎo)天線。
產(chǎn)品特點
√ 大的激發(fā)面積
√ 低的外部偏置電壓
√ 不需要外部冷卻裝置
√ 超級集成化的封裝設(shè)計
技術(shù)規(guī)格
上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導(dǎo)天線。我們提供兩個不同版本的大激發(fā)面積光電導(dǎo)天線：10mm*10mm激發(fā)面積的天線適合于放大級飛秒激光器系統(tǒng)（單脈沖能量可以高至300uJ）；3mm*3mm版本的光電導(dǎo)天線適合于震蕩級飛秒激光器。
左圖為Tera-SED受激發(fā)輻射THz的原理示意圖，右圖是實驗測試頻譜數(shù)據(jù)（0.7nJ pump功率，GaP晶體探測的結(jié)果）
| 頻譜峰值 | 1THz-1.5THz |
| 頻譜寬度(@-10dB) | ~2.5THz |
| 最大光學(xué)激發(fā)功率密度 | 8W/mm2 |
| 最大激發(fā)功率 | 650mW |
| 激發(fā)波長 | 700-850nm |
| 尺寸 | 1英寸外徑 |
| 太赫茲脈沖強度 | 最高可至5KV/cm |
| 偏置電壓 | 10-30V |
| 偏置電壓調(diào)制頻率 | DC-100KHz |
| 占空比 | 5%-100% |
輻射太赫茲的能力
| 偏置電壓Vbias | 占空比 | THz電場強度 | |
| Tera-SED3 | up to 10V | CW | 100V/cm (@10V) |
| 10-20V | 50% | 200V/cm (@20V) | |
| 30V | 10% | 300V/cm | |
| Tera-SED10 | up to 5V | CW | 1000V/cm(@5V) |
| 5-20V | 50% | 2000V/cm(@20V) | |
| 25V | 5% | 5000V/cm |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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