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武汉聚力信自动化科技有限公司
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磁致伸缩传感器BTL7-P511-M0150-B-S32

参  考  价面议
具体成交价以合同协议为准

产品型号

品       牌Balluff/德国巴鲁夫

厂商性质经销商

所  在  地武汉市

更新时间:2025-05-09 16:44:28浏览次数:929次

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磁致伸缩传感器BTL7-P511-M0150-B-S32又称之为磁致伸缩位移(液位)传感器,通过内部非接触式的测控技术精确地检测活动磁环的位置来测量被检测产品的实际位移值的;该传感器的高精度和高可靠性已被广泛应用于成千上万的实际案例中。

磁致伸缩传感器BTL7-P511-M0150-B-S32

磁致伸缩传感器BTL7-P511-M0150-B-S32

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 【兰斯特保证产品*,假一罚十!】

控制阀和切断阀适用于输送炼油厂和石油化工厂的石油和天然气。阀位则通过位置测量系统进行调节,因为它们非??煽?,尤其是在非常恶劣的环境中时。当防爆系统为高优先级时,巴鲁夫新的经认证的BTL7-T500位置测量系统选择。

BTL7-T500已获得ATEX和IECex等多项认证,可广泛用于Zone 0和Zone 1爆炸危险区域,具有高可靠性,可安全操作。例如,它能连续测量精炼罐的液位。

其Profibus接口可提供极大的灵活性,还可以快速调整位置测量系统,节省安装时间并快速诊断潜在错误,从而缩短了系统和维护的调试时间。一根电缆就足以实现连接(总线-输入-输出及电源)。

 

这款非接触式磁致伸缩测量系统拥有防护等级达IP 67的不锈钢外壳,因此无磨损,对污染也极其不敏感,而且等级为100克,可承受高达12克的振动。其分辨率为1微米,重复精度为10微米,能以*的精度运行,并成为系统同步执行位置和速度测量时的理想解决方案。

巴鲁夫BTL线性磁致伸缩传感器采用杆式结构,安装于液压缸中,经数十年验证,它在苛刻的应用领域具备高度可靠性。根据磁致伸缩工作原理,它可安装于密封外壳中,而位置信息可在非接触情况下通过磁场从外壳壁传输到传感器内部。

位移传感器的工作原理

  电位器式位移传感器,它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。

  物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。阻值的变化量反映了位移的量值,阻值的增加还是减小则表明了位移的方向。通常在电位器上通以电源电压,以把电阻变化转换为电压输出。线绕式电位器由于其电刷移动时电阻以匝电阻为阶梯而变化,其输出特性亦呈阶梯形。如果这种位移传感器在伺服系统中用作位移反馈元件,则过大的阶跃电压会引起系统振荡。因此在电位器的制作中应尽量减小每匝的电阻值。电位器式传感器的另一个主要缺点是易磨损。它的优点是:结构简单,输出信号大,使用方便,价格低廉。

BTL7-E100-M0080-B-S32

BTL7-E100-M0100-B-KA05

BTL7-E100-M0230-B-KA05

BTL7-E100-M0245-B-KA05

BTL7-E100-M0370-B-KA05

BTL7-E100-M0610-B-KA05

BTL7-E100-M0950-B-S32

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BTL7-E100-M1400-B-S32

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BTL7-E100-M2743-A-KA10

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BTL7-E500-M0090-Z-S32

BTL7-E500-M0275-K-SR32

BTL7-E500-M0300-B-S32

BTL7-E500-M0500-H-S32

BTL7-E500-M0550-H-S32

BTL7-E500-M0670-K-SR32

BTL7-E500-M1100-H-S32

BTL7-T500已获得ATEX和IECex等多项认证,可广泛用于Zone 0和Zone 1爆炸危险区域,具有高可靠性,可安全操作。例如,它能连续测量精炼罐的液位。其Profibus接口可提供极大的灵活性,还可以快速调整位置测量系统,节省安装时间并快速诊断潜在错误,从而缩短了系统和维护的调试时间。一根电缆就足以实现连接(总线-输入-输出及电源)。这款非接触式磁致伸缩测量系统拥有防护等级达IP 67的不锈钢外壳,因此无磨损,对污染也极其不敏感,而且等级为100克,可承受高达12克的振动。其分辨率为1微米,重复精度为10微米,能以*的精度运行,并成为系统同步执行位置和速度测量时的理想解决方案。

 

巴鲁夫BTL线性磁致伸缩传感器采用杆式结构,安装于液压缸中,经数十年验证,它在苛刻的应用领域具备高度可靠性。根据磁致伸缩工作原理,它可安装于密封外壳中,而位置信息可在非接触情况下通过磁场从外壳壁传输到传感器内部。

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