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美国SVT激光分子束外延设备/LMBE/Laser MBE：
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。
产品简介
详细介绍
产品简介：
Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括：温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息，请。
应用
氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等
标准性能
● 超高真空（本底压强<1E-10 Torr）
● 集成多种类型源，包括：
- RF等离子体源
- 热蒸发源
- 电子束蒸发源
- 臭氧传送系统
● 良好的在线监控仪（可选）
- 原子吸收束流监控仪
- RHEED
- 温度以及厚度测量仪
● 6个可旋转PLD靶
● 高功率准分子激光器
● 提供合适的泵抽组合
● 多种腔室配置以满足您的需求
● 培训以及服务支持
技术参数：
Nitride Systems
Oxide Systems
Silicon Systems
Metal Organic Systems
Generic III-V and II-VI Systems
Compact MBE System (pdf brochure)
Dual Chamber MBE System (pdf brochure)