DUPLOMATIC迪普马电磁阀LC40-QD4/20N/LL
放大板EDM-M212/30E1-B
节流阀MERS-D/M/50
溢流阀MCD6-SBT/51N
液压缸HC2F-63/28-0350-KO-S-22/20
电液比例阀DSPE7G-A150/31N-II/E1K11/B
电液比例阀DSPE7G-C150/31N-II/E1K11/B
比例阀DSE3-A26/11V-D24K1 这个用 DSE3-A26/11N-D24K1
电磁阀DSA5-S1/20N
高压滤芯FSITB114M90S100
液压阀DS07-S2/10N-1E
比例阀DSE3-A08/11N-D24K1
比例阀DSE3-A04/11N-D24K1
比例阀ZE5-P4/40
比例流量阀RPCED1-16/C/52-24
电磁阀DL5B-TA/10N-24DK1
电磁阀DL5B-S3/10N-24DK1
电磁阀DL5B-S1/10N-24DK1
电磁阀RM45-MP/30 升级RM4-210-MP/40N
电液换向阀E5P4-S9/34 DC24V
电磁溢流阀RQAM5-P3/1/A/1/51N-D24K1
齿轮泵GP1-0041R97F/20N
电磁阀DS5-TA02/12V-D24K1/W7
电磁阀DS5-TA02/12V-D24K1/W7
电磁阀PBM3-SB4/10N/K
双联泵GP3F-0394R97F/20N+GP1R-0061RF/20N
比例方向阀DSE3J-Z30/15/31N-E0K11/A
放大器EDM-M252/20E0
溢流阀RQ5-W6M/41 RQ5-W6/M/41
柱塞泵VPPL-022PC5-R00S/20N
比例流量阀RPCE3-100-T3/52-24
电磁阀DS3-S4-10N\C22-D48K1-10阀需要配固定螺栓2套密封圈用DS3-S4/11N-D48K1
电磁阀DS3-S4/11N-D48K1
溢流阀RQM5-P6/A/M/60N-D24K1
溢流阀RQM5-P5/B/M/60N-D24K1
液压阀DSE5-C30/10N-D24K1
电液换向阀DSP7H-S4/20N-EI/C/D24K1
流量控制阀RPC1-4/CT/41
放大板UEIK-11/51-24
在设计低噪声前置放大器之前，工程师必须仔细审视源自放大器的噪声，一般来说，运算放大器的噪声主要来自四个方面：
1、热噪声 （Johnson）：由于电导体内电流的电子能量不规则波动产生的具有宽带特性的热噪声，其电压均方根值的正方与带宽、电导体电阻及绝对温度有直接的关系。对于电阻及晶体管（例如双极及场效应晶体管）来说，由于其电阻值并非为零，因此这类噪声影响不能忽视。
2、闪烁噪声（低频）：由于晶体表面不断产生或整合载流子而产生的噪声。在低频范围内，这类闪烁以低频噪声的形态出现，一旦进入高频范围，这些噪声便会变成“白噪声"。闪烁噪声大多集中在低频范围，对电阻器及半导体会造成干扰，而双极芯片所受的干扰比场效应晶体管大。
3、射击噪声（肖特基）：肖特基噪声由半导体内具有粒子特性的电流载流子所产生，其电流的均方根值正方与芯片的平均偏压电流及带宽有直接的关系。这种噪声具有宽带的特性。
4、爆玉米噪声（popcorn frequency）：半导体的表面若受到污染便会产生这种噪声，其影响长达几毫秒至几秒，噪声产生的原因仍然未明，在正常情况下，并无一定的模式。生产半导体时若采用较为洁净的工艺，会有助减少这类噪声。
此外，由于不同运算放大器的输入级采用不同的结构，因此晶体管结构上的差异令不同放大器的噪声量也大不相同。下面是两个具体例子。
1、双极输入运算放大器的噪声：噪声电压主要由电阻的热噪声以及输入基极电流的高频区射击噪声所造成，低频噪声电平大小取决于流入电阻的输入晶体管基极电流产生的低频噪声；噪声电流主要由输入基极电流的射击噪声及电阻的低频噪声所产生。
2、CMOS 输入运算放大器的噪声：噪声电压主要由高频区通道电阻的热噪声及低频区的低频噪声所造成，CMOS放大器的转角频率（corner frequency）比双极放大器高，而宽带噪声也远比双极放大器高；噪声电流主要由输入门极漏电的射击噪声所产生，CMOS放大器的噪声电流远比双极放大器低，但温度每升高10（C，其噪声电流便会增加约40%。
