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公司能够提供4“、6“、8“圆片，基底厚度100～500um顶层单晶厚度0.2～50µm，基底层厚度100～500µm，电阻率可定制。
也可提供直径100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片，高剂量和低剂量SIMOX圆片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。
产品简介
详细介绍
公司能够提供4"、6"、8"圆片，基底厚度100～500um顶层单晶厚度0.2～50µm，基底层厚度100～500µm，电阻率可定制。
也可提供直径100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片，高剂量和低剂量SIMOX圆片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外，公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。
尺寸 | 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" 以及特殊尺寸和规格硅片 |
表面 | 单抛、双抛 |
晶向 | <100> \ <111>\ <110>\ <211>\ <511> 以及各种偏角度的硅片 |
厚度 | 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度，厚度公差+-10um, TTV< 10um或按客户要求，粗糙度<0.2nm |
导电类型 | N-type、 P-type、undope (本征高阻) |
单晶方式 | 直拉（CZ）、区熔（FZ）、NTD（中照） |
电阻率 | 重掺zui低可达 <0.001 ohm.cm， 低掺常规1~10 ohm.com ， 中照常规500~800ohm.cm，区熔本征：> 1000 ohm.cm， >3000 ohm.cm， >5000 ohm.cm，>8000 ohm.cm，>10000 ohm.cm |
其它 | 其他规格可以*按照客户要求定制，比如更窄的电阻率要求 |
SiO2片 SiNx片
1.氧化硅片（SiO2）
2～8英寸，氧化层厚度100Å～10um
氧化层厚度可根据用户的需要进行生长。一般常规的4英寸、8英寸2000 Å～5000 Å SiO2层厚度有库存。
2. 氮化硅片（SiNx）
2～8英寸LPCVD生长的低应力氮化硅层，氮化硅层厚度1000 Å～5um，其中4英寸5000 Å氮化硅片有库存，其它需要2-5天可以完成，一般应用于MEMS薄膜器件制作，是作为湿法腐蚀硅的良好掩蔽层 。