SiC外延需要嚴格控制厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長途率,方法包括化學氣相沉積CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等,其中CVD兼?zhèn)涑杀具m中+外延質(zhì)量好+生長速度快的優(yōu)勢,應用廣。
該工藝生長溫度需要達到最高 1700 ℃，還涉及到多種復雜氣氛環(huán)境，這對設備結(jié)構(gòu)設計和控制帶來很大的挑戰(zhàn)。
SiC CVD外延設備一般采用水平熱壁式反應腔、水平溫壁式反應腔和垂直熱壁式反應腔 3 種設備結(jié)構(gòu)原理形式。
在水平熱壁單片式外延爐中高溫計通過石英窗口以及石墨熱壁開孔，可以測試石墨熱壁中段的溫度。根據(jù)現(xiàn)場設備情況，高溫計可選用激光瞄準或視頻瞄準形式。
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