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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> Vector Array-深部腦區(qū)電極-NeuroNexus
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貨物所在地：上海上海市
產(chǎn)地：美國
更新時(shí)間：2025-02-19 21:00:08
有效期：2025年2月19日 -- 2025年8月19日
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深部腦區(qū)電極-NeuroNexus
深度腦記錄和刺激套裝。具有光遺傳功能。
VectorArray™ 是針對(duì)大型動(dòng)物深部腦區(qū)應(yīng)用（例如非人靈長類動(dòng)物，豬等）進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的電
極。 電極設(shè)計(jì)已經(jīng)*改革，以充分利用我們業(yè)界*的硅電極技術(shù)。
Vector Array™ 的前端由剛性的金屬管（支撐桿）構(gòu)成，與目標(biāo)區(qū)域連接的部分是可定制的
NeuroNexus 硅電極陣列。這種組合設(shè)計(jì)的方式提供了一個(gè)高品質(zhì)的深部神經(jīng)電極。200μm的
強(qiáng)化版本可用于穿透硬腦膜。
規(guī)格：
| 電極長度 | 10 mm or 15 mm |
| 支撐桿長度 | 60 mm or 100 mm (增加電極長度可以實(shí)現(xiàn)植入更深的深度) |
| 位點(diǎn)布局 | Edge or Poly2 (定制) |
| 電極記錄范圍 | 375 μm to 6300 μm,根據(jù)設(shè)計(jì)而不同 |
| 電極寬度 | 20 μm (min), ≈ 175 μm (max) |
| 通道數(shù) | 16, 32, 64 |
| 支撐桿直徑 | 315 μm OD (16-ch) 400 μm OD (32-ch,64-ch) |
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