1.質(zhì)譜干擾

ICP-MS中質(zhì)譜的干擾(同量異位素干擾)是預(yù)知的，而且其數(shù)量少于300個(gè)，分辨率為0．8amu的質(zhì)譜儀不能將它們分辨開，例如，58Ni對58Fe、 40Ar對40Ca、40Arl60對56Fe或40Ar-Ar對80Se的干擾(質(zhì)譜疊加)。元素校正方程式(與ICP-AES中干擾譜線校正相同的原理)可用來進(jìn)行校正，選擇性地選用一些低自然豐度的同位素、采用“冷等離子體炬焰屏蔽技術(shù)”或“碰撞池技術(shù)”可有效地降低干擾影響。

 

2.基體酸干擾

必須指出，HCI、HCIO4、H3PO4和H2S04將引起相當(dāng)大的質(zhì)譜干擾。Cl+、P+、S+離子將與其他基體元素Ar+、O+、H+結(jié)合生成多原子，例如，35Cl 40Ar對7s、35Cl160對51V的疊加干擾。因此，在ICP-MS的許多分析中避免使用HCl、HClO4、H3PO4和H2SO4是至關(guān)重要的，但這是不可能的?？朔@個(gè)問題的方法有“碰撞池技術(shù)”、在試樣導(dǎo)入ICP之前使用色譜(微栓)分離、電熱蒸發(fā)(ETV)技術(shù)等，另外一個(gè)比較昂貴的選擇是使用高分辯率的扇形磁場的ICP-MS，它具有分辯小于0．01amu的能力，可以清除許多質(zhì)譜的干擾。ICP-MS分析用的試液通常用硝酸來配制。

 

3.雙電荷離子干擾

 雙電荷離子產(chǎn)生的質(zhì)譜干擾是單電荷離子M／Z的一半，例如138Ba2+對69Ga+，或208pb2+對104Ru+。這類干擾是比較少的，而且可以在進(jìn)行分析前將系統(tǒng)佳化而有效地消除。

 

4.基體效應(yīng)

試液與標(biāo)準(zhǔn)溶液粘度的差別將改變各個(gè)溶液產(chǎn)生氣溶膠的效率，采用基體匹配法或內(nèi)標(biāo)法可有效地消除。

 

5.電離干擾

電離干擾是由于試樣中含有高濃度的第1族和第1I族元素而產(chǎn)生的，采用基體匹配、稀釋試樣、標(biāo)準(zhǔn)加入法、同位素稀釋法、萃取或用色譜分離等措施來解決是有效的。

 

6.空間電荷效應(yīng)

空間電荷效應(yīng)主要發(fā)生在截取錐的后面，在此處的凈電荷密度明顯的偏離了零。高的離子密度導(dǎo)致離子束中的離子之間的相互作用，形成重離子存在時(shí)首先損失掉輕離子，例如，Pb+對Li3+?；w匹配或仔細(xì)在被測物質(zhì)的質(zhì)量范圍內(nèi)選用內(nèi)標(biāo)有助于補(bǔ)嘗這個(gè)影響，但這在實(shí)際應(yīng)用是有困難的。同位素稀釋法雖有效．但費(fèi)用高，簡單而有效的方法是稀釋樣品。     

 

lCP-AES干擾

 

1. 光譜干擾

ICP-AES的光譜干擾其數(shù)量很大而較難解決，有記錄的ICP-AES的光譜譜線有50000多條，而且基體能引起相當(dāng)多的問題。因此，對某些樣品，例如，鋼鐵、化工產(chǎn)品及巖石的分析必須使用高分辯率的光譜儀。廣泛應(yīng)用于固定通道ICP-AES中的干擾元素校正能得到有限度的成功。ICP-AES中的背景較高，需離線背景校正，應(yīng)用動(dòng)態(tài)背景校正對增進(jìn)準(zhǔn)確度是很有效的。各種分子粒子(如，OH)的譜峰或譜帶對某些低含量的被測元素會(huì)引起一些分析問題，影響其在實(shí)際樣品中檢出限。

在ICP-MS中的背景是相當(dāng)?shù)偷?，典型的是小? C／S(計(jì)數(shù)／秒)，這就是ICP-MS具有*的檢出限的一個(gè)主要理由。

 

2.基體效應(yīng)

與ICP-MS一樣，ICP-AES可以應(yīng)用內(nèi)標(biāo)來解決例如霧化室效應(yīng)、試樣與標(biāo)準(zhǔn)溶液之間粘度差異所帶來的基體效應(yīng)。

 

3.電離干擾

仔細(xì)選用每個(gè)元素的分析條件或加入電離緩衡劑(如，過量的I族元素)可以減少易電離元素的影響。

   

GFAAS干擾

 

1．光譜干擾

使用氘燈背景校正的GFAAS有少許光譜干擾，但使用Zeeman背景校正的GFAAS能去除這些干擾。

 

2．背景干擾

在原子化過程中，針對不同的基體，應(yīng)仔細(xì)設(shè)定灰化步聚的條件以減少背景信號(hào)。采用基體改進(jìn)劑有助于增加可以容許的灰化溫度。在很多GFAAS應(yīng)用中，與氘燈扣背景相比，Zeeman扣背景可得到更好的準(zhǔn)確度。

 

3．氣相干擾

這是由于被測物質(zhì)的原子蒸汽進(jìn)入一個(gè)較冷的氣體環(huán)境而形成的?，F(xiàn)在采用等溫石墨管設(shè)計(jì)和平臺(tái)技術(shù)，試樣被原子化后進(jìn)入一個(gè)熱的惰性氣體環(huán)境，可有效減少這種干擾。

 

4．基體效應(yīng)

基體效應(yīng)是被測物質(zhì)在石墨管上不同的殘留而生成的，它取決于樣品的種類，應(yīng)用基體改性劑和熱注射能十分有效地減少這些影響。