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晶片级器件、芯片X射线辐照仪
用途：该仪器可适用不同种类器件的辐照，适用于器件辐射效应提参建模的试验平台，在器件设计、流片阶段给出加固建议，评估抗辐射性能。为晶片级器件辐照、提参提供试验条件，形成面向抗辐射器件研制全过程的辐射效应试验评估、提参建模共性技术服务平台，为元器件设计加固工艺的发展提供试验技术支撑。
系统参数
1. X射线球管最高电压：160kV
2. 线束角度: 40°
3. 系统最大功率：6000W
4. X射线球管焦点尺寸：5.5 mm
5. 可调整照射距离(SSD)：OEM，以最终设计为准
6. 剂量控制：配置实时剂量监控仪，剂量率、累积剂量，辐照时间实时显现。剂量率检测范围最大＞600gy/min。
7. 冷却器：集成的闭合回路热交换器
8. 载物台：电动操作
9. 控制：PLC控制
10. 仪器具备门机连锁和警示灯，确保使用安全性。
11. 同轴槽型常高温吸附卡盘（OEM）
12. 卡盘XY位移平台，Z轴快速升降，带微调升降，卡盘可旋转±45°
13. PSM1000显微镜、HDMI接口高清（200万像素）CCD（可选配其他）
14. 显微镜XY位移平台2＂*2＂
15. 防震桌900mm*800mm（最终尺寸以实际为准）
16. 三轴接口探针座
17. 空气压缩机
18. 可选配高低温同轴卡盘、半自动探针台、干燥空气系统等。
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