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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線(xiàn)擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
電壓擊穿測(cè)試儀的信號(hào)接地方法
電壓擊穿測(cè)試儀適用于連續(xù)均勻的電壓上升或逐步電壓上升。對(duì)樣品施加交流/或直流電壓直至擊穿，測(cè)量擊穿電壓值并計(jì)算樣品的擊穿強(qiáng)度；通過(guò)快速升壓將電壓升至規(guī)定值，使樣品在一定時(shí)間內(nèi)不被擊穿，將規(guī)定值設(shè)為此時(shí)樣品的耐壓值。
電壓擊穿測(cè)試儀的信號(hào)接地方法也是需要我們掌握的。
1、浮地將電路的“零"電位或設(shè)備的“零"電位與可能引起環(huán)流的公共接地系統(tǒng)或公共導(dǎo)體絕緣，即不接地，使“零"電位是相對(duì)于地球零電位的懸浮“零"電位。常用的方法有變壓器屏障和光電耦合屏障。浮地的優(yōu)點(diǎn)是，缺點(diǎn)是靜電積累。當(dāng)電荷積累到一定程度時(shí)，設(shè)備地與公共地之間的電位差可能會(huì)引起嚴(yán)重的靜電放電，成為及具破壞性的干擾源。處理方法是在浮地和公共地之間跨接放電電阻和電阻大小，以免影響設(shè)備漏電流的要求。
2、在單點(diǎn)接地電路和設(shè)備中，需要接地的點(diǎn)都連接到只有一個(gè)物理點(diǎn)被定義為接地的點(diǎn)，參考點(diǎn)的點(diǎn)稱(chēng)為單點(diǎn)接地。如果系統(tǒng)選擇單點(diǎn)接地，則每臺(tái)設(shè)備都應(yīng)有自己的單點(diǎn)接地點(diǎn)，然后各設(shè)備的接地應(yīng)與系統(tǒng)中的參考接地點(diǎn)相連。缺陷是系統(tǒng)在工作頻率很高時(shí)表現(xiàn)出一定的電抗效應(yīng)，導(dǎo)致接地效果不佳。
3、多點(diǎn)接地多點(diǎn)接地是指設(shè)備中需要接地的點(diǎn)都直接與接地平面（底板、接地母線(xiàn)等）相連。優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，高頻駐波小。缺點(diǎn)是維修量（生銹和松動(dòng)）大。
4、電壓擊穿測(cè)試儀混合接地綜合了單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地的長(zhǎng)度。需要就近接地的點(diǎn)直接與附近的接地平面相連，或者需要高頻接地的點(diǎn)通過(guò)旁路電容與接地平面相連，其他點(diǎn)采用單點(diǎn)接地。循環(huán)信號(hào)波長(zhǎng)小于0.05λ選用單點(diǎn)接地，接地線(xiàn)長(zhǎng)度應(yīng)達(dá)到0.05λ以上選用多點(diǎn)接地。