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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線(xiàn)擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
陶瓷材料閃燒裝置所需的技術(shù)參數(shù)
陶瓷材料閃燒裝置所需的技術(shù)參數(shù)
1、電場(chǎng)強(qiáng)度
在一定電場(chǎng)強(qiáng)度下，當(dāng)爐體溫度升高到某一特定值時(shí)，電路中會(huì)出現(xiàn)電流急劇上升的現(xiàn)象，這個(gè)溫度點(diǎn)稱(chēng)之為閃燒點(diǎn)。對(duì)于同一種材料，初始電場(chǎng)強(qiáng)度越大，材料的閃燒點(diǎn)越低。但閃燒現(xiàn)象是發(fā)生在一定電場(chǎng)強(qiáng)度之上的，電場(chǎng)強(qiáng)度較低時(shí)，并不會(huì)發(fā)生閃燒現(xiàn)象。此外，也有電場(chǎng)強(qiáng)度抑制晶粒尺寸的報(bào)道，隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增大，所制備陶瓷材料晶粒尺寸減小。
2、電流密度
閃燒現(xiàn)象發(fā)生以后(恒流階段)，隨著所限制電流密度的增大，陶瓷材料致密程度逐漸增大。材料達(dá)到致密化后，繼續(xù)增大電流密度，晶粒尺寸增加。電流從初始值升高到終值時(shí)，增長(zhǎng)模式可分為一次式和步進(jìn)式。
3、電源頻率
為了探索頻率在閃燒過(guò)程中的作用，gittings等人以生物陶瓷為研究對(duì)象，系統(tǒng)地調(diào)查了溫度和頻率對(duì)該材料電導(dǎo)率的影響，實(shí)驗(yàn)溫度范圍為 200-1000 ℃，從直流測(cè)試到交流。當(dāng)交流頻率增加到1 MHz時(shí)，陶瓷電導(dǎo)率相比室溫出現(xiàn)了5個(gè)數(shù)量級(jí)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，這可能會(huì)鼓勵(lì)研究人員在未來(lái)繼續(xù)探索頻率效應(yīng)。