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单晶P/N型号测试仪 型号:NXTM-2B
  • 单晶P/N型号测试仪 型号:NXTM-2B

货物所在地:北京北京市

更新时间:2025-03-21 08:51:16

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本仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号,配置了可自动恒温的热探笔,并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块以准确地鉴定出导电型号。

单晶P/N型号测试仪 型号:NXTM-2B
 
货号:ZH8857
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本仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号,配置了可自动恒温的热探笔,并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块以准确地鉴定出导电型号。
适用范围
适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅
适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业
适用于物理提生产多晶硅料生产企业
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
产品特点
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度提高
测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
特的设计能消除测量引线和接触电阻产生的误差,   测量的高精度和宽的量程范围
双数字表结构使测量,操作简便
具有的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性提高
采用进口元器件,留有大的系数,提高了测试仪的性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的恒流源(之五精度),不受气候条件的影响
具有正测反测的功能,测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
参数
测量范围
锗:近本征锗≤103 Ω?cm    硅≤103 Ω?cm
显示方式: 液晶直显
功    耗:30W
供电电源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推荐使用环境:温度:23±2℃   相对温度:≤65%
 


 

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